中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)孟繁新获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)申请的专利一种高速场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695520B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210468657.5，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种高速场效应晶体管及其制备方法是由孟繁新;姚秋原;袁强;贺晓金;陆超;王博;岳兰设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高速场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种高速场效应晶体管及其制备方法，包括衬底，所述衬底上设置有栅极单元与栅极单元两侧分别连接的源极单元、漏极单元，所述栅极单元包括本征GaAs层，本征GaAs层两端上依次覆盖有本征AlGaAs层和N+AlGaAs层,N+AlGaAs层的上端设置有栅极金属层，本征GaAs层的中部设置有P区,P区的下端与衬底接触，P区的上端依次覆盖有氧化层和多晶硅，多晶硅和氧化层的两侧与本征AlGaAs层接触。本发明在栅极、源极、漏极之间形成由AlGaAs和GaAs构成的异质结结构，该结构能够形成薄层N型导电沟道，从而消除了杂质散射的影响；且GaAs相对于Si具有更高的电子迁移率，因此多数载流子也移动的比硅中更快，此外GaAs也有减小寄生电容和信号损耗的特性，从而有效提升了输出功率和频率。
本发明授权一种高速场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高速场效应晶体管，包括衬底11，其特征在于：所述衬底11上设置有栅极单元及与栅极单元两侧分别连接的源极单元、漏极单元，所述栅极单元包括本征GaAs层10，本征GaAs层10两端上依次覆盖有本征AlGaAs层3和N+AlGaAs层2,N+AlGaAs层2的上端设置有栅极金属层1，本征GaAs层10的中部设置有P区9,P区9的下端与衬底11接触，P区9的上端依次覆盖有氧化层5和多晶硅4，多晶硅4和氧化层5的两侧与本征AlGaAs层3接触，本征GaAs层10的两侧分别与源极单元和漏极单元漏极连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)，其通讯地址为：550018 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励