台湾积体电路制造股份有限公司苏怡年获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948452B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110861455.2，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由苏怡年;谢志宏设计研发完成，并于2021-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体结构及其形成方法。一种方法包括：在电介质层之上形成第一心轴和第二心轴；以及在所述第一心轴和所述第二心轴上分别形成第一间隔件和第二间隔件。所述第一间隔件和所述第二间隔件彼此相邻，并且在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间具有空间。蚀刻所述电介质层以在所述电介质层中形成开口，其中，所述开口与所述空间重叠，并且其中，所述第一间隔件和所述第二间隔件用作所述蚀刻中的蚀刻掩模的一部分。将导电材料填充到所述开口中。对所述导电材料执行平坦化工艺。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，包括： 在电介质层之上形成第一心轴和第二心轴； 在所述第一心轴和所述第二心轴上分别形成第一间隔件和第二间隔件，其中，所述第一间隔件和所述第二间隔件彼此相邻，并且在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间具有第一空间； 形成覆盖所述第一心轴和所述第一间隔件的一部分的保护层； 将所述第一间隔件、所述第二间隔件以及所述保护层相组合地用作蚀刻掩模来蚀刻所述电介质层以在所述电介质层中形成开口，其中，所述开口与所述第一空间重叠； 将导电材料填充到所述开口中；以及 对所述导电材料执行平坦化工艺。
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