长江存储科技有限责任公司侯会丹获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113906550B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180003479.2，技术领域涉及：H10W10/00；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由侯会丹;姚兰;石艳伟设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，先提供包括第一器件区和第二器件区的衬底，在第一器件区的衬底中形成第一隔离结构，且在第二器件区的衬底中形成第二隔离结构，然后对第一隔离结构进行离子注入，之后对第一隔离结构和第二隔离结构进行回蚀，以在第一隔离结构中形成第一凹槽且在第二隔离结构中形成第二凹槽。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其包括： 提供衬底，所述衬底包括第一器件区和第二器件区，所述第一器件区为高压器件区，所述第二器件区为低压器件区； 在所述第一器件区的衬底表面形成第一栅氧化层，在所述第二器件区的衬底表面形成第二栅氧化层，所述第一栅氧化层的厚度大于所述第二栅氧化层的厚度； 形成所述第一栅氧化层和第二栅氧化层之后，在所述第一器件区的衬底中形成第一隔离结构，且在所述第二器件区的衬底中形成第二隔离结构，所述第一隔离结构在纵向上的深度大于所述第二隔离结构在所述纵向上的深度； 对所述第一隔离结构进行离子注入; 然后对所述第一隔离结构和第二隔离结构进行回蚀，以在所述第一隔离结构中形成第一凹槽，且在所述第二隔离结构中形成第二凹槽，所述第一凹槽在垂直于所述衬底的纵向上的深度大于所述第二凹槽在所述纵向上的深度； 将所述第一凹槽和所述第二凹槽侧壁露出的衬底表面进行氧化，以在所述第一凹槽和所述第二凹槽的侧壁分别形成第一栅氧化层和第二栅氧化层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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