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龙图腾网获悉浙江同芯祺科技有限公司申请的专利一种碳化硅晶圆加工工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903656B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111162163.6，技术领域涉及：H10P90/00；该发明授权一种碳化硅晶圆加工工艺是由严立巍;符德荣;陈政勋;文锺设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶圆加工工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种碳化硅晶圆加工工艺，包括以下步骤：S1、将碳化硅基板永久键合在硅载板上；S2、完成碳化硅基板的减薄及除高温制程外的其他晶圆正面制程；S3、将碳化硅基板转移到石墨托盘上，解除碳化硅基板与硅载板的永久键合，移除硅载板；S4、利用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程；S5、碳化硅基板背面键合玻璃载板，移除石墨托盘；S6、碳化硅基板正面键合玻璃载板，解键合移除背面玻璃载板；S7、完成碳化硅基板背面晶圆制程；S8、将碳化硅基板转移到切割模框上，解键合移除正面玻璃载板，完成晶圆的切割。本发明利用硅载板承载碳化硅基板进行减薄，利用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程，克服了碳化硅材料硬度大、活化温度高的加工难题。

本发明授权一种碳化硅晶圆加工工艺在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶圆加工工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1、在硅载板表面通过CVD沉积SiO2层，然后将碳化硅基板背面与硅载板键合，利用SiO2使碳化硅基板与硅载板形成永久性键合； S2、完成碳化硅基板的减薄，同时完成除高温制程外的其他晶圆正面制程； S3、将完成正面晶圆制程的碳化硅基板转移到石墨托盘上，然后将石墨托盘放入蚀池中蚀刻SiO2层，解除碳化硅基板与硅载板的永久键合，移除硅载板后将碳化硅基板冲洗干净； S4、利用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程； S5、将完成高温制程的碳化硅基板取出，碳化硅基板背面涂布黏着剂并键合玻璃载板，移除石墨托盘； S6、于碳化硅基板正面背面涂布黏着剂并键合玻璃载板，利用激光穿透碳化硅基板背面玻璃载板使释放剂分解,使碳化硅基板背面玻璃载板解键合，移除碳化硅基板背面玻璃载板； S7、完成碳化硅基板背面晶圆制程； S8、将碳化硅基板转移到切割模框上，利用激光穿透碳化硅基板正面玻璃载板使释放剂分解，使碳化硅基板正面玻璃载板解键合，移除碳化硅基板正面玻璃载板，完成晶圆的切割。

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