台湾积体电路制造股份有限公司郭胜安获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224098143U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423232768.X，技术领域涉及：H10W20/43；该实用新型半导体装置是由郭胜安;林振昇;萧闵谦;史朝文;丁国强;陈燕铭设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供提出一种半导体装置，其包括：半导体装置，包括：半导体衬底；多个第一衬底穿孔与多个第二衬底穿孔，延伸穿过半导体衬底；内连线结构，设置在半导体衬底上方，内连线结构包括电耦合至第一衬底穿孔的多个第一金属化图案及电耦合至第二衬底穿孔的多个第二金属化图案；第一密封环，包围第一金属化图案并定义出第一半导体区；及第二密封环，包围第二金属化图案并定义出第二半导体区；局部内连线结构，接合第一半导体区与第二半导体区两者，且直接覆盖第一密封环与第二密封环；及第一重布线路结构，设置在半导体装置上，第一重布线路结构透过第一衬底穿孔电性连接至第一半导体区，且透过第二衬底穿孔电性连接至第二半导体区。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 半导体装置，包括： 半导体衬底； 多个第一衬底穿孔与多个第二衬底穿孔，延伸穿过所述半导体衬底； 内连线结构，设置在所述半导体衬底上方，所述内连线结构包括电耦合至所述多个第一衬底穿孔的多个第一金属化图案以及电耦合至所述多个第二衬底穿孔的多个第二金属化图案； 第一密封环，包围所述多个第一金属化图案并定义出第一半导体区；以及 第二密封环，包围所述多个第二金属化图案并定义出第二半导体区； 局部内连线结构，接合所述第一半导体区与所述第二半导体区两者，其中所述局部内连线结构直接覆盖所述第一密封环与所述第二密封环；以及 第一重布线路结构，设置在所述半导体装置上，所述第一重布线路结构透过所述多个第一衬底穿孔电性连接至所述第一半导体区，且透过所述多个第二衬底穿孔电性连接至所述第二半导体区。
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