重庆云潼科技有限公司李俊辉获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种缓启动电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224097606U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520594362.1，技术领域涉及：H02M1/36；该实用新型一种缓启动电路是由李俊辉;颜荨;胡绍国;廖光朝设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种缓启动电路在说明书摘要公布了：本申请属于电源电路领域，具体涉及一种缓启动电路。包括：电源VCC和负载电阻R3，其特征在于，还包括：NMOS管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第四电阻R4和第一电容C1；用于实现NMOS管Q1的导通时间变长，避免负载电阻R3受到浪涌电流冲击；所述NMOS管Q1的栅极通过第一电阻R1，与所述电源连接；所述电源VCC通过依次串联的第二电阻R2和第一电容C1连接所述NMOS管Q1的漏极；所述电源VCC与NMOS管Q1的源极之间通过第四电阻R4连接，所述NMOS管Q1的源极还连接接地端GND；所述负载电阻R3并联在所述NMOS管Q1的漏极和所述电源VCC之间。本申请使得负载电路缓慢导通，实现缓启动，避免电流浪涌冲击负载电路。
本实用新型一种缓启动电路在权利要求书中公布了：1.一种缓启动电路，包括电源VCC、接地端GND和负载电阻R3，其特征在于，还包括：NMOS管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第四电阻R4和第一电容C1；用于实现NMOS管Q1的导通时间变长，避免负载电阻R3受到浪涌电流冲击； 所述NMOS管Q1的栅极通过第一电阻R1，与所述电源连接；所述电源VCC通过依次串联的第二电阻R2和第一电容C1连接所述NMOS管Q1的漏极；所述电源VCC与NMOS管Q1的源极之间通过第四电阻R4连接，所述NMOS管Q1的源极还连接接地端GND；所述负载电阻R3并联在所述NMOS管Q1的漏极和所述电源VCC之间。
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