深圳市智微智能软件开发有限公司莫金存获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市智微智能软件开发有限公司申请的专利一种MOS管防反接防倒灌电路及电子产品获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224097412U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520699729.6,技术领域涉及:H02H11/00;该实用新型一种MOS管防反接防倒灌电路及电子产品是由莫金存设计研发完成,并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOS管防反接防倒灌电路及电子产品在说明书摘要公布了:本实用新型涉及MOS管防反接防倒灌电路及电子产品,包括MOS管组件和电容;沿电流方向,电容位于MOS管组件的下游;MOS管组件包括P沟道MOS管、第一三极管和第二三极管;应用本申请的电路,可以提供防反接保护的同时,防止电流倒灌,提高保护电路的可靠性;整体电路结构简洁,涉及的元件较少,成本低。
本实用新型一种MOS管防反接防倒灌电路及电子产品在权利要求书中公布了:1.一种MOS管防反接防倒灌电路,其特征在于,包括MOS管组件和电容;沿电流方向,所述电容位于所述MOS管组件的下游;所述MOS管组件包括P沟道MOS管、第一三极管和第二三极管;所述第一三极管和所述第二三极管均为PNP型三极管;所述第一三极管的E极引脚和C极引脚分别与输入端的正极和负极连接,所述第一三极管的B极引脚与所述第二三极管的B极引脚连接;所述第二三极管的E极引脚和C极引脚分别与输出端的正极和负极连接;所述第二三极管的C极引脚接地;所述电容的两端分别与输出端的正极和负极连接;所述P沟道MOS管的D极和S极分别与所述第一三极管的E极引脚以及所述第二三极管的E极引脚连接,所述P沟道MOS管的G极与所述第二三极管的C极引脚连接;所述第一三极管的C极引脚与所述第二三极管的C极引脚连接。
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