成都高真科技有限公司郭挑远获国家专利权
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龙图腾网获悉成都高真科技有限公司申请的专利半导体化学气相沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224091994U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520722870.3，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型半导体化学气相沉积设备是由郭挑远设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体化学气相沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型提出了一种半导体化学气相沉积设备，包括工艺腔室、放置平台、第一喷头和第二喷头，放置平台设置在工艺腔室内，沿工艺腔室的高度方向，放置平台的顶端用于放置半导体，第一喷头沿工艺腔室的高度方向，第一喷头设置在放置平台的上方，并用于向半导体的顶侧喷射工艺气体，沿第一方向，第二喷头与放置平台间隔设置，并用于向半导体的边缘区域喷射工艺气体，第一方向与工艺腔室的高度方向垂直。通过第二喷头设置于放置平台的周侧，以对半导体的周侧边缘喷射工艺气体，使得半导体的边缘区域的喷射覆盖更好，进而使得半导体的边缘区域的薄膜厚度与中心区域的薄膜厚度相等或者接近，从而提高了半导体化学沉积薄膜的质量。
本实用新型半导体化学气相沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体化学气相沉积设备，其特征在于，包括： 工艺腔室； 放置平台，设置在所述工艺腔室内，沿所述工艺腔室的高度方向，所述放置平台的顶端用于放置半导体； 第一喷头，沿所述工艺腔室的高度方向，所述第一喷头设置在所述放置平台的上方，并用于向所述半导体的顶侧喷射工艺气体； 第二喷头，沿第一方向，所述第二喷头与所述放置平台间隔设置，并用于向所述半导体的边缘区域喷射工艺气体； 其中，所述第一方向与所述工艺腔室的高度方向垂直。
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