合肥晶合集成电路股份有限公司周欢获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的制造方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310619B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511861264.0，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体器件的制造方法和半导体器件是由周欢;周儒领;宋富冉设计研发完成，并于2025-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体器件的制造方法和半导体器件，该方法包括：在晶圆的正面形成栅极结构；在晶圆和栅极结构上依次沉积自对准氧化物材料层和自对准多晶硅材料层；执行湿法蚀刻工艺对自对准多晶硅材料层进行图案化，以形成自对准多晶硅层；执行干法蚀刻工艺对自对准氧化物材料层进行图案化，以形成自对准氧化物层；对自对准多晶硅层、暴露出的晶圆以及栅极结构的上表面进行金属硅化物工艺，以形成金属硅化物层。本申请实施例提高了形成的金属硅化物层的均匀性与完整性，从而提升器件良率。
本发明授权半导体器件的制造方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，包括： 在晶圆的正面形成栅极结构； 在所述晶圆和所述栅极结构上依次沉积自对准氧化物材料层和自对准多晶硅材料层，其中在所述晶圆正面形成所述栅极结构和所述栅极结构的侧墙、以及在所述晶圆和所述栅极结构上依次沉积自对准氧化物材料层和自对准多晶硅材料层的过程中同步在所述晶圆的背面沉积多层膜结构，所述多层膜结构包括依次层叠的栅氧化材料层、多晶硅材料层、氧化硅材料层、氮化硅材料层、自对准多晶硅材料层； 执行湿法蚀刻工艺对所述自对准多晶硅材料层进行图案化，以形成自对准多晶硅层，其中包括：执行所述湿法蚀刻工艺以除去所述晶圆的背面沉积的自对准多晶硅材料层； 执行干法蚀刻工艺对所述自对准氧化物材料层进行图案化，以形成自对准氧化物层； 对所述自对准多晶硅层、暴露出的所述晶圆以及所述栅极结构的上表面进行金属硅化物工艺，以形成金属硅化物层； 在形成所述自对准多晶硅层之后的工艺处理过程中，在所述晶圆的背面沉积的氮化硅材料层的厚度被减薄。
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