山东产研微纳与智能制造研究院有限公司陈之恒获国家专利权
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龙图腾网获悉山东产研微纳与智能制造研究院有限公司申请的专利一种黑硅纳米森林结构及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121250340B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511427120.4，技术领域涉及：C23C16/50；该发明授权一种黑硅纳米森林结构及其制备方法与应用是由陈之恒;张宇;孟祥鹏;孙金虎;马文生设计研发完成，并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种黑硅纳米森林结构及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明属于半导体材料制造技术领域，具体涉及一种黑硅纳米森林结构及其制备方法与应用。本发明通过PECVD沉积富硅氮化硅薄膜，再利用VHF通入气态HF进行化学腐蚀，形成均匀的硅草结构。该方法无需金属催化剂和掩模，消除金属污染和物理损伤，工艺简单可控，适用于大面积黑硅的工业化生产。
本发明授权一种黑硅纳米森林结构及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种黑硅纳米森林结构，其特征在于，包括：硅基底和位于所述硅基底表面的硅草状纳米森林层； 所述硅草状纳米森林层由富硅氮化硅经气态氢氟酸化学转化形成，且不含金属催化剂残留物；其中，所述富硅氮化硅的原子比Si:N3:4； 所述的黑硅纳米森林结构由以下的制备方法制备得到，具体为：先在硅基底表面通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积富硅氮化硅薄膜，然后使用气态HF工艺对富硅氮化硅薄膜进行化学刻蚀，即得黑硅纳米森林结构； 所述等离子体增强化学气相沉积工艺沉积中通入的气体流量比例为SiH4:N2:NH3=45~55:780~820:20~25； 所述等离子体增强化学气相沉积工艺沉积的参数为：腔室压力为120~150Pa，射频功率为150~200W，沉积时间为60~70秒。
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