中国科学院上海技术物理研究所王旭东获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种基于热蒸发的SnS-WSe2接触构筑方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121240485B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511789779.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种基于热蒸发的SnS-WSe2接触构筑方法及应用是由王旭东;张莹;柳畅;伍帅琴;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩;王建禄设计研发完成，并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于热蒸发的SnS-WSe2接触构筑方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于热蒸发的SnS‑WSe2接触构筑方法及应用，属于二维半导体器件与接触工程领域，在高真空、低速率沉积条件下，以Co为稳定剂，通过热蒸发工艺将SnS沉积于二维半导体WSe2上，形成半导体‑半导体范德华界面。利用SnS的半导体属性及其禁带内态密度近零的特性，有效抑制金属诱导间隙态；同时其低熔点特性有利于获得洁净的接触界面，降低缺陷诱导间隙态，从而显著减弱费米能级钉扎，实现近零空穴注入势垒与理想欧姆接触。相较于常用的高功函数金属接触，本发明无需额外掺杂处理即可实现高效空穴注入与低接触电阻，工艺流程简单且与现有微纳加工工艺兼容，适用于高性能二维p‑FET及可扩展的二维CMOS集成。
本发明授权一种基于热蒸发的SnS-WSe2接触构筑方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种基于热蒸发的SnS-WSe2接触构筑方法，其特征在于，包括以下步骤： 1制备二维半导体衬底：通过机械剥离法在SiSiO2衬底上获得目标层数WSe2； 2将所述衬底置于高真空热蒸发腔体中； 3采用Co掺杂SnS复合蒸发源热蒸发沉积SnS于所述二维半导体衬底表面，形成S-SvdW界面； Co掺杂SnS复合蒸发源在加热过程中与部分Sn形成固相残留并释放SnSS2气相组分，从而稳定Sn和S的化学式并获得稳定蒸发通量。
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