中国科学院西安光学精密机械研究所赵卫获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院西安光学精密机械研究所申请的专利一种中子敏感MCP及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121232253B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511790675.5,技术领域涉及:G01T3/00;该发明授权一种中子敏感MCP及其制作方法是由赵卫;黄城;朱香平;李炜楠设计研发完成,并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中子敏感MCP及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种中子敏感MCP及其制作方法,该MCP包含玻璃基板,其上形成多个从第一表面向第二表面延伸的微通道。微通道含开口端和盲孔端,盲孔端接近第二表面。微通道内设有电子倍增功能层,第二表面处有中子敏感膜层,两端表面均形成电极层。本发明将“中子捕获”与“电子倍增”功能区域分离,盲孔端实体敏感膜层无开口率限制,最大化中子捕获概率;U型微通道实现电子雪崩放大。此设计保留了微通道放大成像功能,同时规避了开口率对探测效率的影响,提高了探测效率。
本发明授权一种中子敏感MCP及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种中子敏感MCP,其特征在于,包括一玻璃基板1,所述玻璃基板1具有第一表面11以及与其相对的第二表面12,所述第一表面11上形成多个向所述第二表面12延伸的微通道13; 所述微通道13包括一开口端131和一盲孔端132,所述开口端131位于第一表面11上,盲孔端132接近所述第二表面12; 所述微通道13中形成有电子倍增功能层; 所述第二表面12处形成有中子敏感膜层; 所述第一表面11以及上第二表面12形成有电极层; 所述微通道13的形成过程为:采用飞秒或皮秒级脉冲激光对玻璃基板1进行局部改性,改性后的玻璃基板1经酸性溶液以及碱性溶液交替蚀刻后,形成所述微通道13; 所述中子敏感膜层的制备为:利用磁控溅射或电子束蒸镀技术在第二表面12上制备中子敏感膜层; 所述第二表面12上的电极层位于中子敏感膜层的外侧; 所述微通道13的孔径为2~20μm;孔间距为2~5μm;孔深度为100~500μm;所述微通道13为U型结构; 所述盲孔端132底部的厚度为1~2μm; 所述中子敏感膜层的厚度为1~3μm。
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