买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉广东芯粤能半导体有限公司申请的专利碳化硅功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121218646B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511785663.3，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权碳化硅功率器件及其制备方法是由余开庆;曾祥;相奇;李恬恬设计研发完成，并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种碳化硅功率器件及其制备方法，包括：衬底、源极金属、屏蔽区；衬底内包括沿第一方向依次排列的基底、缓冲层、外延层；外延层内包括经由外延层的第一表面向外延层内延伸的阱区，以及沿背离第一方向贯穿阱区，且沿第二方向间隔交替排列的条状MPS结构及条状栅极；源极金属沿背离第一方向延伸至阱区内，并与条状MPS结构相接触；屏蔽区的顶面位于条状栅极的底面以内；条状MPS结构包括沿第三方向间隔排列的掺杂柱；掺杂柱与正下方的外延层、缓冲层用于构成PiN结构；相邻掺杂柱之间的外延层，与正上方的源极金属接触，构成肖特基结构。不仅具备Ron低、Vf低，且抗浪涌能力强，且制造成本较低。

本发明授权碳化硅功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率器件，其特征在于，包括：衬底、源极金属、屏蔽区； 所述衬底内包括第一方向依次排列的基底、缓冲层、外延层； 所述外延层内包括经由所述外延层的第一表面向所述外延层内延伸的阱区，以及沿背离所述第一方向贯穿所述阱区，且沿第二方向间隔交替排列的条状MPS结构及条状栅极；所述条状栅极为沟槽栅； 所述源极金属沿背离所述第一方向延伸至所述阱区内，并与所述条状MPS结构相接触；所述屏蔽区的顶面位于所述条状栅极的底面以内； 所述条状MPS结构包括沿第三方向间隔排列的掺杂柱；所述掺杂柱与正下方的外延层、缓冲层、基底用于构成PiN结构；相邻所述掺杂柱之间的外延层，与正上方的源极金属接触，构成肖特基结构； 其中，所述掺杂柱通过对沿所述第二方向相邻阱区之间的外延层离子注入形成；条状MPS结构中PIN结构与肖特基结构的比例通过形成掺杂柱的光罩自由调节；屏蔽区与掺杂柱同步制备，所述屏蔽区在所述掺杂柱两侧对齐分布或错位分布； 所述第一方向、所述第二方向及所述第三方向两两相互垂直。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东芯粤能半导体有限公司，其通讯地址为：511462 广东省广州市南沙区万顷沙镇正翔路10号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。