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龙图腾网获悉深圳市懋略技术研究有限公司申请的专利一种极芯及二次电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121172050B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511719660.X，技术领域涉及：H01M4/13；该发明授权一种极芯及二次电池是由沈晞;郝嵘;阮泽文设计研发完成，并于2025-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种极芯及二次电池在说明书摘要公布了：为克服现有电池难以兼顾低生产成本、高能量密度和高安全性能的问题，本发明提供了一种极芯，所述极芯满足以下条件：，，且2≤N≤500,0.5≤T1≤50,50≤T2≤500,5.5≤L1＜100,5＜L1’≤100；其中，N为极芯截面上双极性极片的层数；T1为单个隔膜的厚度，单位为μm；T2为单个双极性极片的厚度，单位为μm；L1为第一空白区的宽度，单位为mm；L1’为第二空白区的宽度，单位为mm。同时，本发明还公开了包括上述极芯的二次电池。

本发明授权一种极芯及二次电池在权利要求书中公布了：1.一种极芯，其特征在于，包括多个双极性极片和多个隔膜，多个所述双极性极片依次层叠，相邻两个所述双极性极片之间设置有所述隔膜，所述双极性极片包括复合集流体、正极材料层和负极材料层，所述复合集流体包括高分子层、第一导电层和第二导电层，所述第一导电层位于所述高分子层的一侧表面，且所述高分子层的一端与所述第一导电层的一端之间设置有第一空白区，所述第二导电层位于所述高分子层的另一侧表面，且所述高分子层的另一端与所述第二导电层的一端之间设置有第二空白区，所述负极材料层位于所述第一导电层上，所述正极材料层位于所述第二导电层上，所述极芯满足以下条件： ，，且2≤N≤500,0.5≤T1≤50,50≤T2≤500,5.5≤L1＜100,5＜L1’≤100； 其中，N为极芯截面上双极性极片的层数； T1为单个隔膜的厚度，单位为μm； T2为单个双极性极片的厚度，单位为μm； L1为第一空白区的宽度，单位为mm； L1’为第二空白区的宽度，单位为mm； 所述第一导电层的一端与所述负极材料层的一端之间设置有第一空箔区，所述第一空箔区的宽度L2为0~5mm；所述第一导电层的另一端与所述负极材料层的另一端之间设置有第二空箔区；所述第二空箔区的宽度L3和所述第二空白区的宽度L1’满足：5≤L3＜L1’≤100； 所述第二导电层的一端与所述正极材料层的一端之间设置有第三空箔区，所述第三空箔区的宽度L2’为0~5mm；所述第二导电层的另一端与所述正极材料层的另一端之间设置有第四空箔区；所述第四空箔区的宽度L3’和所述第一空白区的宽度L1满足5.5≤L1＜L3’≤100。

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