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龙图腾网获悉宁波阿尔法半导体有限公司申请的专利一种碳化硅晶圆翘曲的修复方法以及碳化硅晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121156831B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511696858.0，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种碳化硅晶圆翘曲的修复方法以及碳化硅晶圆是由卢海彬;浩瀚;赵新田;余胜军;张万林;覃振堂;韦严;吴思波;胡玲艳;张能;杨水艳;沈梦涵设计研发完成，并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶圆翘曲的修复方法以及碳化硅晶圆在说明书摘要公布了：本申请公开了一种碳化硅晶圆翘曲的修复方法以及碳化硅晶圆，包括以下步骤：S1.预处理：将线切翘曲度超规的晶圆倒角处理；S2.贴膜：对晶圆进行全表面映射测量，定位晶圆翘曲的高点位，在高点位的背面贴定位膜；S3.贴蜡：对晶圆背面贴蜡，随后将晶圆背面贴在陶瓷盘上；S4.单抛：将放置晶圆的陶瓷盘放在单面抛光机上，对晶圆正面进行单抛加工，加工时间：5‑15min；压力：200‑300gcm²；S5.脱蜡，去除晶圆上的定位膜和蜡，将晶圆清洗干净；S6.精磨：双面精磨加工晶圆，加工时间100‑200min，加工压力150‑250gcm²，下盘转速15‑25rpm；S7.粗抛：双面粗抛加工晶圆，加工时间100‑150min，加工压力150‑250gcm²，下盘转速15‑25rpm；S8.精抛：双面精抛加工晶圆，加工时间180‑250min，加工压力300‑400gcm²，下盘转速25‑40rpm。

本发明授权一种碳化硅晶圆翘曲的修复方法以及碳化硅晶圆在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶圆翘曲的修复方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.预处理：将线切翘曲度超规的晶圆倒角处理； S2.贴膜：对所述晶圆进行全表面映射测量，定位所述晶圆翘曲的高点位，在所述高点位的背面贴定位膜； S3.贴蜡：对所述晶圆背面贴蜡，随后将所述晶圆背面贴在陶瓷盘上； S4.单抛：将放置所述晶圆的所述陶瓷盘放在单面抛光机上，对所述晶圆正面进行单抛加工，加工时间：5-15min；压力：200-300gcm²； S5.脱蜡，去除所述晶圆上的定位膜和蜡，将所述晶圆清洗干净； S6.精磨：双面精磨加工所述晶圆，加工时间100-200min，加工压力150-250gcm²，下盘转速15-25rpm； S7.粗抛：双面粗抛加工所述晶圆，加工时间100-150min，加工压力150-250gcm²，下盘转速15-25rpm； S8.精抛：双面精抛加工所述晶圆，加工时间180-250min，加工压力300-400gcm²，下盘转速25-40rpm。

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