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龙图腾网获悉中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692412B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110824571.7，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由蔡巧明;阎海涛;马丽莎设计研发完成，并于2021-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在多晶硅栅极层侧部的基底上形成第一层间介质层，第一层间介质层覆盖多晶硅栅极层的侧壁；在第一层间介质层和多晶硅栅极层的顶部形成盖帽介质层；在第一器件区中，刻蚀多晶硅栅极层顶部的盖帽介质层，在盖帽介质层中形成露出多晶硅栅极层的开口；在开口露出的多晶硅栅极层的顶部形成金属硅化物层；去除剩余的盖帽介质层；在第一层间介质层和多晶硅栅极层的顶部形成第二层间介质层；在第一器件区中，在多晶硅栅极层的顶部形成贯穿第二层间介质层的栅极插塞，栅极插塞与金属硅化物相连接。降低第一器件区基底上的第一层间介质层与其他区域基底上的第一层间介质层产生高度差的概率。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括用于形成第一器件的第一器件区和用于形成第二器件的第二器件区； 多晶硅栅极层，位于所述第一器件区的基底上； 金属栅极层，位于所述第二器件区的基底上； 第一层间介质层，位于所述多晶硅栅极层侧部的基底上，所述第一层间介质层覆盖所述多晶硅栅极层的侧壁，且所述第一层间介质层的顶部与所述多晶硅栅极层的顶部齐平，所述第一层间介质层还覆盖所述金属栅极层的侧壁，且所述第一层间介质层的顶部与所述金属栅极层的顶部齐平； 金属硅化物层，位于所述第一器件区的所述多晶硅栅极层上； 第二层间介质层，位于所述第一层间介质层和多晶硅栅极层的顶部，所述第二层间介质层覆盖所述金属硅化物层，所述第二层间介质层还覆盖所述金属栅极层的顶部； 栅极插塞，位于所述第一器件区和第二器件区中，并贯穿位于所述多晶硅栅极层顶部的第二层间介质层，所述栅极插塞与金属硅化物层相连接，以及贯穿位于所述金属栅极层顶部的所述第二层间介质层，且所述栅极插塞的底部与所述金属栅极层的顶部相连接； 其中，形成所述金属硅化物层的步骤包括：在所述第一层间介质层和多晶硅栅极层的顶部形成盖帽介质层；在所述第一器件区中，仅刻蚀所述多晶硅栅极层顶部的所述盖帽介质层，在所述盖帽介质层中形成露出所述多晶硅栅极层的开口；在所述开口露出的所述多晶硅栅极层的顶部形成金属硅化物层；形成所述金属硅化物层后，去除剩余的所述盖帽介质层。

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