华虹半导体(无锡)有限公司王勇获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利锗硅异质结双极晶体管结构及其形成方法、晶体生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663021B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211336769.1，技术领域涉及：H10D62/822；该发明授权锗硅异质结双极晶体管结构及其形成方法、晶体生长方法是由王勇;赵正元;杨德明;周康;孙伟虎;彭勇设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本锗硅异质结双极晶体管结构及其形成方法、晶体生长方法在说明书摘要公布了：一种锗硅异质结双极晶体管结构及其形成方法、晶体生长方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括基底和位于所述基底上的集电区；在所述衬底上形成掩膜层结构，所述掩膜层结构包括掩膜层，所述掩膜层内具有第一开口，所述掩膜层包括主体区和位于所述主体区上的表面区，所述主体区材料的化学键具有第一键能，所述表面区内具有掺杂离子，所述掺杂离子与所述表面区材料的离子所构成的化学键具有第二键能，所述第二键能大于第一键能；以所述掩膜层为掩膜，采用选择性外延工艺，在所述第一开口下的所述集电区表面形成主基区，提高所述主基区材料的生长选择性，进而提高工艺窗口。
本发明授权锗硅异质结双极晶体管结构及其形成方法、晶体生长方法在权利要求书中公布了：1.一种锗硅异质结双极晶体管结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括基底和位于所述基底上的集电区； 位于所述衬底上的掩膜层结构，所述掩膜层结构包括掩膜层，所述掩膜层内具有第一开口，所述第一开口下方暴露出所述集电区顶部表面，所述掩膜层包括主体区和位于所述主体区上的表面区，所述主体区材料的化学键具有第一键能，所述表面区内具有掺杂离子，所述掺杂离子与所述表面区材料的离子所构成的化学键具有第二键能，所述第二键能大于第一键能； 位于暴露出的所述集电区表面上的主基区。
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