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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种微焦点X射线源阴极结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115662860B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211403645.0，技术领域涉及：H01J9/02；该发明授权一种微焦点X射线源阴极结构及其制备方法是由夏斌;方琦;郑克亮;王积超;吴长征;谢毅设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微焦点X射线源阴极结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种微焦点X射线源阴极结构及其制备方法，此方法形成的具有[100]晶向的二次区熔后的LaB6单晶，其电子发射稳定性好，在同样的电流密度下和钨丝相比，亮度更高、寿命更长；采用电化学腐蚀方法制备单晶LaB6尖端，其曲率半径为1μm左右，能产生高亮度的电子束，从而使得二次区熔后的LaB6单晶的发射性能远高于钨丝阴极的数十倍以上，其产生的X射线强度和成像质量都高于钨丝阴极；二次区熔后的LaB6单晶应用于Micro‑CT的X射线源上，不需要改变原有钨丝阴极电子枪结构和电源，就能打破热钨丝阴极因其发射电流小、亮度低、寿命短等缺点限制Micro‑CT系统性能，进而提升Micro‑CT的整体性能。

本发明授权一种微焦点X射线源阴极结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微焦点X射线源阴极结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 制备LaB6烧结多晶棒； 将所述LaB6烧结多晶棒作为第一上料棒，将与所述LaB6烧结多晶棒直径相同的LaB6单晶作为第一籽晶，进行第一次区熔得到一次区熔后的LaB6单晶，其中所述第一籽晶固定在所述第一上料棒的下端轴； 将所述一次区熔后的LaB6单晶作为第二上料棒，将[100]晶向的LaB6单晶作为第二籽晶，进行第二次区熔得到二次区熔后的LaB6单晶，其中所述第二籽晶固定在所述第二上料棒的下端轴，所述二次区熔后的LaB6单晶具有[100]晶向； 将所述二次区熔后的LaB6单晶切割成LaB6单晶棒，并在所述LaB6单晶棒的一端覆盖石蜡； 采用电化学腐蚀方法对所述二次区熔后的LaB6单晶进行处理形成单晶LaB6尖端，包括：施加电压和第一电流将所述LaB6单晶棒覆盖所述石蜡的一端插入电解液并保持所述LaB6单晶棒上下运动；待所述LaB6单晶棒插入所述电解液且未覆盖所述石蜡的部分尖锐化后，施加第二电流使所述LaB6单晶棒保持在静态情况下进行电化学腐蚀，在所述LaB6单晶棒断裂的瞬间关闭电源形成所述单晶LaB6尖端； 将具有所述单晶LaB6尖端的所述二次区熔后的LaB6单晶固定在支架上，形成微焦点X射线源阴极结构。

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