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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115589718B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110758465.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由杨正杰设计研发完成，并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括：电极覆盖层，位于基底上；第一导电结构，位于电极覆盖层的上表面；接触结构，包括第一接触层和第二接触层，第一接触层与第一导电结构相接触，第二接触层的底部与第一接触层的顶部相接触；第一接触层的宽度大于第二接触层底部的宽度；其中，接触结构的下表面不低于电极覆盖层的下表面，第一导电结构的电阻率不大于接触结构的电阻率，且不大于电极覆盖层的电阻率。增加接触结构与电极覆盖层的接触面积，同时避免在接触结构中形成空洞，减小了接触电阻，减小了接触结构与电极覆盖层下方的电容结构之间的体电阻。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 电极覆盖层，位于基底上； 第一导电结构，位于所述电极覆盖层的上表面； 接触结构，包括第一接触层和第二接触层，所述第一接触层与所述第一导电结构相接触，所述第二接触层的底部与所述第一接触层的顶部相接触；所述第一接触层的宽度大于所述第二接触层底部的宽度； 其中，所述接触结构的下表面不低于所述电极覆盖层的下表面，所述第一导电结构的电阻率不大于所述接触结构的电阻率，且不大于所述电极覆盖层的电阻率； 所述第一接触层位于所述第一导电结构的下表面；所述半导体结构还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第一导电结构的上表面； 所述第一接触层包括第一导电层和第一阻挡层，所述第一导电层位于所述电极覆盖层内，所述第一阻挡层位于所述第一导电层与所述电极覆盖层之间； 所述第二接触层包括第二导电层和第二阻挡层，所述第二导电层包括位于所述绝缘层内的部分及位于所述第一导电结构内的部分，所述第二阻挡层位于所述第二导电层与所述绝缘层之间、所述第二导电层与所述第一导电结构之间及所述第二导电层与所述第一导电层之间。

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