上海功成半导体科技有限公司侯晓伟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海功成半导体科技有限公司申请的专利IGBT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566059B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211406935.0，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权IGBT器件及其制备方法是由侯晓伟;郭依腾;罗杰馨;柴展设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本IGBT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种IGBT器件及其制备方法，器件包括：衬底，衬底上形成有IGBT器件的发射极、IGBT栅极和集电极；虚设栅极，设置于栅极和发射极之间；第一NMOS管，第一NMOS管的源极和栅极与IGBT栅极电连接，漏极与虚设栅极电连接；第二NMOS管，第二NMOS管的源极与虚设栅极电连接，漏极与发射极电连接，栅极通过电感与发射极电连接，PMOS管，PMOS管的源极与虚设栅极电连接，漏极与发射极电连接，栅极通过电感与发射极电连接。本发明通过在器件不同工作状态导通状态和关断过程时控制虚设栅极的电位的变化，可以有效改善器件发热，提升功率密度，进而提升器件性能，使IGBT器件可用于更高频率的应用。
本发明授权IGBT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件包括： 衬底，所述衬底上形成有IGBT器件的发射极、IGBT栅极和集电极； 虚设栅极，设置于所述栅极和所述发射极之间； 第一NMOS管，所述第一NMOS管设置于所述衬底上，且设置于所述IGBT栅极和所述虚设栅极之间，所述第一NMOS管的源极和栅极与所述IGBT栅极电连接，漏极与所述虚设栅极电连接； 第二NMOS管，所述第二NMOS管设置于所述衬底上，且设置于所述虚设栅极和所述发射极之间，所述第二NMOS管的源极与所述虚设栅极电连接，漏极与所述发射极电连接，栅极通过电感与所述发射极电连接； PMOS管，所述PMOS管设置于所述衬底上，且设置于所述虚设栅极和所述发射极之间，所述PMOS管的源极与所述虚设栅极电连接，漏极与所述发射极电连接，栅极通过电感与所述发射极电连接。
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