爱思开海力士有限公司李熙烈获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210009534.5，技术领域涉及：G11C16/14；该发明授权半导体存储器设备是由李熙烈设计研发完成，并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器设备在说明书摘要公布了：一种半导体存储器设备包括存储器单元阵列、页缓冲器和控制逻辑。存储器单元阵列包括用于存储数据的多个存储器单元。页缓冲器通过位线耦合到该多个存储器单元之中的至少一个存储器单元，并且被配置成将数据存储在该至少一个存储器单元中。控制逻辑被配置成控制页缓冲器的操作。页缓冲器包括：第一晶体管，该第一晶体管耦合在位线与第一节点之间；第二晶体管，该第二晶体管耦合在位线与外部电源电压端子之间；以及内部操作电路，该内部操作电路耦合到第一节点。
本发明授权半导体存储器设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器设备，包括： 存储器单元阵列，包括用于存储数据的多个存储器单元； 页缓冲器，通过位线耦合到所述多个存储器单元之中的至少一个存储器单元，并且被配置成将数据存储在所述至少一个存储器单元中；以及 控制逻辑，被配置成控制所述页缓冲器的操作， 其中所述页缓冲器包括： 第一晶体管，耦合在所述位线与第一节点之间； 第二晶体管，耦合在所述位线与外部电源电压端子之间；以及 内部操作电路，耦合到所述第一节点， 其中所述控制逻辑被配置成： 当编程禁止偏压被传输到所述位线时，控制所述页缓冲器，以通过接通所述第一晶体管将所述编程禁止偏压从所述内部操作电路传输到所述位线，并且通过关断所述第二晶体管来断开所述外部电源电压端子与所述位线之间的连接；以及 在编程操作期间，在所述编程禁止偏压被传输到所述位线的同时，为了抑制从所述位线侧到所述第二晶体管侧出现泄漏电流，将大于0V的第一电压施加到所述外部电源电压端子。
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