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龙图腾网获悉广东省科学院半导体研究所申请的专利芯片精细线路扇出封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115552577B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080100355.1，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权芯片精细线路扇出封装结构及其制作方法是由燕英强;王垚;胡川;向迅;陈志涛设计研发完成，并于2020-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片精细线路扇出封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请的实施例提供了一种芯片精细线路扇出封装结构及其制作方法，涉及芯片技术领域。本申请实施例提供的芯片精细线路扇出封装结构，以及本申请实施例提供的制作方法制作得到的芯片精细线路扇出封装结构，包括芯片间精细绕线层和封装绕线层，芯片间精细绕线层的线宽线距小于封装绕线层的线宽线距，因此用户可以根据实际需要选择使用不同的封装绕线层。因此，本申请提供的芯片精细线路扇出封装结构以及本申请提供的制作方法所制得的封装结构能够满足用户在更多场景下的使用需求。

本发明授权芯片精细线路扇出封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片精细线路扇出封装结构的制作方法，其特征在于，包括： 在临时支撑材料一侧表面上依次制作第一绝缘层、芯片间精细绕线层以及粘合层； 在所述粘合层远离所述芯片间精细绕线层的一侧贴装多个芯片，所述芯片的引脚包括高密度芯片间互连引脚和低密度芯片互连引脚，所述芯片的引脚和芯片间精细绕线层精确对位； 用包封材料包封住所述多个芯片并覆盖所述粘合层； 去除所述临时支撑材料； 在所述第一绝缘层上开设第一互连孔，所述第一互连孔贯穿所述第一绝缘层、所述芯片间精细绕线层和所述粘合层并露出所述芯片的高密度芯片间引脚，在所述第一互连孔填充导电材料，以使所述芯片间精细绕线层与所述芯片的高密度芯片间引脚电连接； 在所述第一绝缘层上再涂覆第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层和所述第一互连孔，在所述第二绝缘层上制备第一封装绕线层；制备第二互连孔，所述第二互连孔贯穿所述第一封装绕线层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述芯片间精细绕线层并露出所述低密度芯片互连引脚，和或，贯穿所述第一封装绕线层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层露出所述芯片间精细绕线层；在所述第二互连孔内填充导电材料，并通过所述第二互连孔内导电材料将所述低密度芯片互连引脚与芯片间精细绕线层、第一封装绕线层电连接； 在所述第一封装绕线层远离所述芯片方向再交替地制备至少一层绝缘层和至少一层封装绕线层，每层绝缘层上制作互连孔，互连孔内填充导电材料；并通过互连孔内导电材料将每层所述封装绕线层间形成电连接，所述芯片间精细绕线层的线宽线距小于各个所述封装绕线层的线宽线距； 最远离所述芯片的封装绕线层设置有引脚焊盘，在最远离所述芯片的封装绕线层上覆盖阻焊层，去掉至少部分覆盖在所述引脚焊盘上的阻焊层；并且在所述引脚焊盘种植焊料球。

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