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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种部分耗尽型SOI MOSFET体区电阻的计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115544937B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211168809.6，技术领域涉及：G06F30/39；该发明授权一种部分耗尽型SOI MOSFET体区电阻的计算方法是由胡光喜;陆叶;于天晔设计研发完成，并于2022-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种部分耗尽型SOI MOSFET体区电阻的计算方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种部分耗尽型绝缘层上硅金属氧化物半导体场效应管体区电阻的计算方法。本发明根据H型栅MOSFET结构特点，利用电容感应电荷原理，求解正面栅压和背面栅压在器件体硅内产生的耗尽电荷量。然后根据源极pn结、漏极pn结模型，得到体硅中pn结的耗尽电荷。在此基础上，建立一个基本的体区多子电荷模型，并得到体区内所有剩余多子电荷电量。然后根据电荷移动规律，建立体硅的电阻模型，以便快速准确得到体区电阻。模型结果与仿真和实验结果都高度吻合。本发明物理概念清晰，易于计算，且计算精度高，为提取SOIMOSFET的关键参数提供了一种有效的计算办法。

本发明授权一种部分耗尽型SOI MOSFET体区电阻的计算方法在权利要求书中公布了：1.一种部分耗尽型SOIMOSFET体区电阻的计算方法，其特征在于，具体步骤为： 一先计算PDSOIMOSFET体区电荷模型表达式为各端口造成的体区耗尽电荷总量QB： ，1 其中，是顶栅感应电荷，是背栅感应电荷，是源结和漏结的耗尽层电荷，它们的定义式分别为： 1顶栅感应电荷： 2 2背栅感应电荷： 3 其中，W为器件宽度，L为器件长度，Cox为顶栅单位面积氧化层电容，Vgs为栅和源之间电压，VFB为顶栅平带电压，Vbs为体源之间电压，Ves为衬底与源之间电压，Vfbb为背栅平带电压，Coxb为背栅单位面积氧化层电容； 3源结耗尽电荷： 4 其中，Asd为源结面积，，tsi为体硅厚度，εsi为硅介电常数，Vin为内建电势，Neff为沟道有效掺杂浓度，Nsd为源漏掺杂浓度，q为电子电量； 4漏结耗尽电荷： 5 其中，Vds为漏源之间电压； 二计算所有提供体区电流的载流子电荷总量： ，6 三根据电阻定义，得到这些载流子沿着沟道宽度方向运动时产生的电阻RbW： ，7 其中，µB为载流子有效迁移率。

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