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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利光学临界尺寸数据库的建立方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115524943B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211377244.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权光学临界尺寸数据库的建立方法及系统是由刘星设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本光学临界尺寸数据库的建立方法及系统在说明书摘要公布了：本公开涉及一种光学临界尺寸数据库的建立方法及系统，光学临界尺寸量测方法及系统。所述光学临界尺寸数据库的建立方法包括：提供基准晶圆，基准晶圆上具有基准测试单元；获取基准测试单元中基准目标图形的套刻精度，基准目标图形包括立墙结构以及位于立墙结构两侧的第一沟槽和第二沟槽；对基准目标图形进行光学临界尺寸测量，获取第一沟槽和第二沟槽的测量临界尺寸；根据套刻精度和测量临界尺寸确定第一相关函数，第一相关函数用于表征套刻精度和测量临界尺寸之间的对应关系；根据第一相关函数，确定光学临界尺寸数据库。本公开可以提高器件堆叠结构中器件光学临界尺寸量测评估的精确度。

本发明授权光学临界尺寸数据库的建立方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种光学临界尺寸数据库的建立方法，其特征在于，包括： 提供基准晶圆，所述基准晶圆上具有基准测试单元，所述基准测试单元的数量为大于1的奇数；多个所述基准测试单元包括：套刻精度为零的参考测试单元，以及以所述参考测试单元为中心且分别位于所述参考测试单元旁侧的多个第一系列测试单元和多个第二系列测试单元；其中，多个所述第一系列测试单元的所述套刻精度依次负向增大；多个所述第二系列测试单元的所述套刻精度依次正向增大； 获取所述基准测试单元中基准目标图形的套刻精度；所述基准目标图形包括立墙结构以及位于所述立墙结构两侧的第一沟槽和第二沟槽； 对所述基准目标图形进行光学临界尺寸测量，获取所述第一沟槽和所述第二沟槽的测量临界尺寸； 根据所述套刻精度和所述测量临界尺寸确定第一相关函数，所述第一相关函数用于表征所述套刻精度和所述测量临界尺寸之间的对应关系； 对所述基准目标图形进行切片透射电镜测量，获取所述第一沟槽和所述第二沟槽的基准临界尺寸； 根据所述测量临界尺寸与所述基准临界尺寸确定第二相关函数，所述第二相关函数用于表征同一所述套刻精度对应的所述测量临界尺寸和所述基准临界尺寸之间的对应关系； 根据所述第一相关函数和所述第二相关函数，共同确定光学临界尺寸数据库。

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