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龙图腾网获悉深圳芯能半导体技术有限公司申请的专利一种沟槽型MPS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513054B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211130548.9，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种沟槽型MPS器件及其制备方法是由张益鸣;刘杰设计研发完成，并于2022-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽型MPS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种沟槽型MPS器件及其制备方法，通过在N型外延层的正面形成凹槽，然后在凹槽的底部注入第一P型掺杂离子后高温退火形成第一P型掺杂区，在凹槽的侧壁下方注入第二P型掺杂离子，在凹槽侧壁上方注入第三P型掺杂离子，然后低温退火在凹槽的侧壁下方形成第二P型掺杂区，在凹槽的侧壁上方形成第三P型掺杂区，其中，第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、第三P型掺杂区的掺杂浓度逐渐增加，从而使得凹槽底部对肖特基器件的电场屏蔽较弱，凹槽侧壁上方的阳极注入效率较高，同时满足对肖特基器件的电场屏蔽较高，且对IRM影响较小的条件，实现了快恢复二极管器件的高耐压、低VF、高软度、低IRM的特性。

本发明授权一种沟槽型MPS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型MPS器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在N型外延层的正面形成氧化层，并在第一刻蚀掩膜的保护下刻蚀所述氧化层和所述N型外延层，以在所述N型外延层的正面形成凹槽； 在所述氧化层的保护下向所述凹槽的底部注入第一P型掺杂离子，并在第一退火条件下进行退火处理，以在所述凹槽的底部形成第一P型掺杂区，在所述第一P型掺杂区与所述N型外延层之间的界面处形成N型沟道区； 向所述凹槽的侧壁注入第二P型掺杂离子，以在所述凹槽的侧壁形成第二P型掺杂区；其中，所述第二P型掺杂区的掺杂浓度大于所述第一P型掺杂区的掺杂浓度； 向所述凹槽的侧壁上方注入第三P型掺杂离子，并在第二退火条件下进行退火处理，以在所述凹槽的侧壁上方形成第三P型掺杂区；其中，所述第二退火条件中的退火温度小于所述第一退火条件中的退火温度，所述第三P型掺杂区的掺杂浓度大于所述第二P型掺杂区的掺杂浓度； 在所述凹槽两侧形成肖特基金属层，并在所述凹槽的底部和侧壁形成欧姆金属层； 在所述N型外延层的背面形成阴极金属层。

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