中芯北方集成电路制造(北京)有限公司蔡巧明获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110674533.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及其形成方法是由蔡巧明;马丽莎设计研发完成，并于2021-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供半导体衬底，包括电阻区，电阻区的半导体衬底上形成有电阻结构材料层；在电阻区中，在电阻结构材料层中形成一个或多个平行的沟槽，沟槽贯穿部分厚度的电阻结构材料层；在形成沟槽后，图形化电阻结构材料层，去除沟槽外侧的部分电阻结构材料层，保留包含有沟槽的部分电阻结构材料层作为电阻结构；在电阻结构侧部的半导体衬底上形成介质层，介质层还填充于沟槽中，且介质层露出电阻结构的顶部；沿电阻结构的延伸方向，去除电阻结构和介质层交界处的部分电阻结构，形成由介质层和剩余的电阻结构围成的开口；在开口中形成电极。电阻结构顶部形成有沟槽，降低了电阻结构顶面出现凹陷缺陷的概率。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 半导体衬底，包括电阻区； 电阻结构，位于所述电阻区的半导体衬底上，其中，所述电阻结构顶部形成有一个或多个平行排列的沟槽，且所述沟槽位于所述电阻结构中，所述沟槽贯穿部分厚度的所述电阻结构； 电极，位于所述电阻区中，沿所述电阻结构的延伸方向，所述电极位于所述电阻结构两侧，且与所述电阻结构的侧壁相连； 介质层，位于所述电阻结构和电极侧部的半导体衬底上，所述介质层还填充于所述沟槽中，所述介质层露出所述电阻结构和电极的顶部。
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