应用材料公司崔振江获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于移除含铝膜的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115485821B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180032187.1，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权用于移除含铝膜的系统和方法是由崔振江;王安川;R·P·雷迪;X·陈设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于移除含铝膜的系统和方法在说明书摘要公布了：示例性的蚀刻方法可包括使含卤素前驱物流至半导体处理腔室的基板处理区域中。含卤素前驱物的特征可在于气体密度大于或约为5gL。方法可包括用含卤素前驱物接触基板处理区域中容纳的基板。基板可界定含卤素材料的暴露区域。接触可产生卤化铝材料。方法可包括使蚀刻剂前驱物流至基板处理区域中。方法可包括用蚀刻剂前驱物接触卤化铝材料。方法可包括移除卤化铝材料。
本发明授权用于移除含铝膜的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，所述蚀刻方法包含： 使含卤素前驱物流至半导体处理腔室的基板处理区域中，其中所述含卤素前驱物的特征在于大于或等于5gL的气体密度； 用所述含卤素前驱物接触所述基板处理区域中容纳的基板，其中所述基板界定含铝材料的暴露区域，并且其中所述接触产生卤化铝材料； 使蚀刻剂前驱物流至所述基板处理区域中，其中所述蚀刻剂前驱物包括重金属卤化物； 用所述蚀刻剂前驱物接触所述卤化铝材料；以及 移除所述卤化铝材料，由此相对于其他材料而选择性地蚀刻所述含铝材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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