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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利一种谐波类噪声循环压控振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425926B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211084265.5，技术领域涉及：H03B5/12；该发明授权一种谐波类噪声循环压控振荡器是由曹瀚璋;黄同德;吴文设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种谐波类噪声循环压控振荡器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种谐波类噪声循环压控振荡器，由NMOS管N1、NMOS管N2、PMOS管P1、PMOS管P2、栅极电容CG、漏极电容CD、以及由三个相互耦合的电感LP、LS、LT组成的变压器而组成，三个相互耦合的电感LP、LS、LT组成了变压器T1，栅极电容CG、漏极电容CD、以及变压器T1组成振荡器的谐振腔。本发明通过减小晶体管产生的噪声以及减少噪声向相位噪声的转变，可以有效地降低压控振荡器产生的相位噪声，获得优异的噪声性能。

本发明授权一种谐波类噪声循环压控振荡器在权利要求书中公布了：1.一种谐波类噪声循环压控振荡器，其特征在于，由NMOS管N1、NMOS管N2、PMOS管P1、PMOS管P2、栅极电容CG、漏极电容CD、三个相互耦合的电感LP、LS、LT组成，三个相互耦合的电感LP、LS、LT组成了变压器T1，栅极电容CG、漏极电容CD、以及变压器T1组成振荡器的谐振腔，其中： NMOS管N1源极与PMOS管P1的源极相连，NMOS管N1漏极与电感LP的正极、漏极电容CD的一端相连，NMOS管N1的栅极与电感LS的负极、栅极电容CG相连；PMOS管P1的栅极与电感LT的正极相连，PMOS管P1的漏极接地；NMOS管N2源极与PMOS管P2的源极相连，NMOS管N2漏极与电感LP的负极、漏极电容CD的另一端相连，NMOS管N2的栅极与电感LS的正极、栅极电容CG另一端相连；PMOS管P2的栅极与电感LT的负极相连，PMOS管P2的漏极接地；电感LP中心抽头接VDD电位，为整个压控振荡器提供能量，电感LS中心抽头接VBIASN电位，为NMOS管N1与NMOS管N2提供栅极直流电压偏置，LT中心抽头接VBIASP电位，为PMOS管P1与PMOS管P2提供栅极直流电压偏置。

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