拉姆伯斯公司T·沃吉尔桑获国家专利权
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龙图腾网获悉拉姆伯斯公司申请的专利升压的回写电压获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115298825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180022004.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权升压的回写电压是由T·沃吉尔桑;B·S·豪克尼斯设计研发完成，并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本升压的回写电压在说明书摘要公布了：DRAM设备的动态存储器阵列使用至少两个电压进行操作。第一电压是DRAM设备的大多数数字逻辑电路系统的操作即切换电压，第一电压用于在感测即读取操作和大多数其他列操作例如，预充电、激活、写入期间为感测放大器供电。第二电压大于DRAM设备的大多数数字逻辑电路系统的操作即切换电压，第二电压确定写入到DRAM单元的电容器的电压即位线电压。数字逻辑电路系统使用供电电压进行操作，供电电压低于写入到DRAM阵列的电容器的电压。这允许将较低电压摆幅的数字逻辑用于DRAM设备上的大部分逻辑，同时将较大的电压写入到DRAM单元。
本发明授权升压的回写电压在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取存储器DRAM设备，包括： 数字逻辑电路系统，用于至少处理列地址和行地址以检索被存储在动态存储器阵列中的数据，所述数字逻辑电路系统使用第一数字逻辑供电电压水平进行操作；以及 感测放大器电路，作为所述动态存储器阵列的部分，用于在列操作和感测操作期间使用所述第一数字逻辑供电电压水平进行操作，直至所述感测放大器电路的交叉耦合反相器对使用所述第一数字逻辑供电电压达到稳定状态，并且用于在所述交叉耦合反相器对使用所述第一数字逻辑供电电压达到所述稳定状态之后的回写操作期间使用升压位线电压进行操作，所述升压位线电压大于所述第一数字逻辑供电电压水平。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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