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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十七研究所申请的专利具有软错误自修复功能的扫描结构D触发器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115276612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210895151.2，技术领域涉及：H03K3/3562；该发明授权具有软错误自修复功能的扫描结构D触发器是由曹雪兵;牛爽;高明月;曹中复设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有软错误自修复功能的扫描结构D触发器在说明书摘要公布了：本发明提出一种具有软错误自修复功能的扫描结构D触发器。包括顺序连接的数据输入缓冲电路、扫描控制电路、主锁存器、主锁存器错误探测电路、主锁存器错误纠正电路、从锁存器、从锁存器错误探测电路、从锁存器错误纠正电路以及输出电路，还包括分别与主锁存器和从锁存器连接的时钟电路，所述主锁存器与主锁存器错误纠正电路相连，所述从锁存器与从锁存器错误纠正电路相连。当数据输入信号D或者时钟信号CK由于受到单粒子瞬态的影响，而导致数据输入信号与时钟信号上产生毛刺或文波时，数据输入缓冲电路及时钟电路中的结构通过延迟单元与密勒C单元的连接，实现对单粒子瞬态的抑制。

本发明授权具有软错误自修复功能的扫描结构D触发器在权利要求书中公布了：1.具有软错误自修复功能的扫描结构D触发器，其特征在于，包括顺序连接的数据输入缓冲电路、扫描控制电路、主锁存器、主锁存器错误探测电路、主锁存器错误纠正电路、从锁存器、从锁存器错误探测电路、从锁存器错误纠正电路以及输出电路，还包括分别与主锁存器和从锁存器连接的时钟电路，所述主锁存器与主锁存器错误纠正电路相连，所述从锁存器与从锁存器错误纠正电路相连； 所述主锁存器错误探测电路和从锁存器错误探测电路的结构相同，所述主锁存器错误探测电路包括：反向MOS单元M17的输入端作为主锁存器错误探测电路的第一输入端，与主锁存器的第一输出端相连，反向MOS单元M17的输出端分别与PMOS管P30的栅极、NMOS管N32的栅极、PMOS管P32的源极以及NMOS管N33的源极相连，反向MOS单元M18的输入端作为主锁存器错误探测电路的第二输入端，分别与主锁存器的第二输出端、NMOS管N31的栅极以及PMOS管P32的栅极相连，反向MOS单元M18的输出端分别与PMOS管P31的栅极和NMOS管N33的栅极相连，PMOS管P30的源极连接电源VDD，PMOS管P30的漏极连接PMOS管P31的源极，PMOS管P31的漏极连接NMOS管N31的漏极，NMOS管N31的源极连接NMOS管N32的漏极，NMOS管N32的源极接地，PMOS管P30的栅极与NMOS管N32的栅极相连，PMOS管P32的漏极分别与PMOS管P31的漏极、NMOS管N33的漏极以及反向MOS单元M19的输入端相连，反向MOS单元M19的输出端作为主锁存器错误探测电路的第一输出端，与反向MOS单元M20的输入端相连，反向MOS单元M20的输出端作为主锁存器错误探测电路的第二输出端。

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