苏州汉天下电子有限公司赖志国获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州汉天下电子有限公司申请的专利谐振器的制备方法及谐振器、滤波器的制备方法及滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115208342B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210876278.X，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权谐振器的制备方法及谐振器、滤波器的制备方法及滤波器是由赖志国;杨清华设计研发完成，并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本谐振器的制备方法及谐振器、滤波器的制备方法及滤波器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种谐振器的制备方法及谐振器、滤波器的制备方法及滤波器。该滤波器的制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧形成种子层；在种子层背离衬底的一侧形成下电极；图形化下电极；湿法刻蚀种子层，刻蚀后的种子层的边缘内缩在下电极在衬底的正投影内；对下电极的侧面进行内缩处理，以使下电极在衬底的正投影和种子层在衬底的正投影重合，或者，以使下电极在衬底的正投影落在种子层在衬底的正投影之内；在下电极背离种子层的一侧形成压电层；在压电层背离下电极的一侧形成上电极；本申请提供的技术方案提高了湿法工艺刻蚀种子层后沉积压电层的良率。
本发明授权谐振器的制备方法及谐振器、滤波器的制备方法及滤波器在权利要求书中公布了：1.一种谐振器的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底的一侧形成种子层； 在所述种子层背离所述衬底的一侧形成下电极； 图形化所述下电极； 湿法刻蚀所述种子层，刻蚀后的所述种子层的边缘内缩在所述下电极在所述衬底的正投影内，其中，所述下电极在平行于所述衬底方向上的尺寸为L0，刻蚀后的种子层在平行于所述衬底方向上的尺寸为L1，L1小于L0； 对所述下电极的侧面进行内缩处理，以使所述下电极在所述衬底的正投影和所述种子层在所述衬底的正投影重合，或者，以使所述下电极在所述衬底的正投影落在所述种子层在所述衬底的正投影之内； 在所述下电极背离所述种子层的一侧形成压电层； 在所述压电层背离所述下电极的一侧形成上电极。
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