稳懋半导体股份有限公司宋俊汉获国家专利权
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龙图腾网获悉稳懋半导体股份有限公司申请的专利高电子迁移率晶体管及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132840B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210289284.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权高电子迁移率晶体管及其形成方法是由宋俊汉;许荣豪;廖昱安;张家铭设计研发完成，并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其形成方法，该高电子迁移率晶体管包括：化合物半导体基板、栅极电极、源极电极、漏极电极、第一金属柱、第二金属柱、介电层及金属层。栅极电极，位于化合物半导体基板之上。源极电极，位于化合物半导体基板之上栅极电极的第一侧。漏极电极，位于化合物半导体基板之上栅极电极的第二侧，第一侧与第二侧相反。第一金属柱，位于源极电极之上。第二金属柱，位于漏极电极之上。介电层，位于化合物半导体基板之上，介电层包围栅极电极、第一金属柱、及第二金属柱。金属层，位于介电层之上，金属层跨过栅极电极、第一金属柱、及第二金属柱。本发明可避免形成引线孔时的对准问题及破裂问题，还可减少栅极电阻。
本发明授权高电子迁移率晶体管及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括： 一化合物半导体基板； 一栅极电极，位于该化合物半导体基板之上； 一源极电极，位于该化合物半导体基板之上该栅极电极的一第一侧； 一漏极电极，位于该化合物半导体基板之上该栅极电极的一第二侧，其中该第一侧与该第二侧相反； 一第一金属柱，位于该源极电极之上； 一第二金属柱，位于该漏极电极之上； 一介电层，位于该化合物半导体基板之上，其中该介电层包围该栅极电极、该第一金属柱、及该第二金属柱；以及 一金属层，位于该介电层之上，其中该金属层跨越该栅极电极，且自该第一金属柱的一侧壁跨越该第一金属柱、及自该第二金属柱的一侧壁跨越该第二金属柱。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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