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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132727B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110333353.3，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：第一晶体管结构，包括基底、位于基底上的第一沟道层、覆盖第一沟道层的第一栅介质层、覆盖第一栅介质层的第一栅极结构、以及位于第一栅极结构两侧的第一源漏掺杂层；键合层，位于第一晶体管结构的键合面上；第二晶体管结构，位于键合层上，包括第二沟道层、覆盖第二沟道层的第二栅介质层、覆盖第二栅介质层的第二栅极结构、以及位于第二栅极结构两侧的第二源漏掺杂层；导电插塞，贯穿第二栅极结构底部的第二栅介质层和键合层，电连接第二栅极结构和第一栅极结构。本发明在第一栅极结构和第二栅极结构未物理接触的情况下，通过导电插塞实现两者的电性连接，从而易于获得基于CFET结构的反相器。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一晶体管结构，包括基底、位于所述基底上的第一沟道层、保形覆盖所述第一沟道层的第一栅介质层、覆盖所述第一栅介质层的第一栅极结构、以及位于所述第一栅极结构两侧的基底上的第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层与位于所述第一栅极结构下方的第一沟道层端部相接触，所述第一晶体管结构具有位于所述第一栅极结构一侧的键合面； 键合层，位于所述第一晶体管结构的键合面上，所述键合层的材料为介电材料； 第二晶体管结构，位于所述键合层上，所述第二晶体管结构包括第二沟道层、保形覆盖所述第二沟道层的第二栅介质层、覆盖所述第二栅介质层的第二栅极结构、以及位于所述第二栅极结构两侧的键合层上的第二源漏掺杂层，所述第二源漏掺杂层与位于所述第二栅极结构下方的第二沟道层端部相接触； 导电插塞，贯穿所述第二栅极结构底部的所述第二栅介质层和键合层，所述导电插塞电连接所述第二栅极结构和所述第一栅极结构。

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