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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利一种发光器件及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064646B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210674546.X，技术领域涉及：H10K50/10；该发明授权一种发光器件及显示面板是由华正伸设计研发完成，并于2022-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光器件及显示面板在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光器件及显示面板。发光器件包括第一电极、第二电极、至少两个层叠设置的发光结构层、电荷产生层及离子阻挡与电子传输层；其中，第二电极与第一电极相对设置；发光结构层位于第一电极与第二电极之间；电荷产生层位于两个发光结构层之间；离子阻挡与电子传输层位于电荷产生层与发光结构层的电子传输与注入层之间。本发明中，在高温工作的情况下，离子阻挡与电子传输层，可以阻挡电荷产生层中的离子扩散至电子传输与注入层中，避免影响电子的注入与传输，防止空穴与电子相互扩散或相互作用，也能提升电子从电荷产生层传输至电子传输与注入层的效率，在提升发光亮度的同时，有效的稳定和降低发光器件工作时的驱动电压。

本发明授权一种发光器件及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种发光器件，其特征在于，包括： 第一电极； 第二电极，与所述第一电极相对设置； 至少两个层叠设置的发光结构层，所述发光结构层位于所述第一电极与所述第二电极之间； 电荷产生层，位于两个所述发光结构层之间，所述电荷产生层还包括电子产生层、空穴产生层及电荷传输层，所述电荷传输层位于所述电子产生层上，所述空穴产生层位于所述电荷传输层上；所述电子产生层为n型电子产生层； 离子阻挡与电子传输层，位于所述电荷产生层与所述发光结构层的电子传输与注入层之间，所述电子产生层位于所述离子阻挡与电子传输层上，所述离子阻挡与电子传输层中的部分离子可与n型掺杂离子或部分金属离子反应，形成自由基阴离子； 其中，所述发光结构层包括第一发光结构层和第二发光结构层，沿着出光方向上，所述第一电极、所述第一发光结构层、所述离子阻挡与电子传输层、所述电荷产生层、所述第二发光结构层和所述第二电极，依次叠层设置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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