格芯(美国)集成电路科技有限公司R·J·小戈捷获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利基于鳍的双极型静电放电器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975424B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210167299.4，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权基于鳍的双极型静电放电器件是由R·J·小戈捷;M·苗;A·F·卢瓦索;S·米特拉;李由;梁巍设计研发完成，并于2022-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于鳍的双极型静电放电器件在说明书摘要公布了：本公开涉及一种基于鳍的双极型静电放电器件。本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及静电放电ESD器件及其制造方法。该结构ESD器件包括：双极型晶体管，其包括集电极区、发射极区和基极区；以及与集电极区相邻的横向镇流电阻，其包括半导体材料。
本发明授权基于鳍的双极型静电放电器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 双极型晶体管，其包括集电极区、发射极区和基极区；以及 与所述集电极区相邻的横向镇流电阻，其包括半导体材料， 其中，所述集电极区包括具有第一掺杂剂类型的集电极鳍结构，所述发射极区包括具有所述第一掺杂剂类型的发射极鳍结构，所述基极区包括具有第二掺杂剂类型的基极鳍结构，以及所述横向镇流电阻包括与所述集电极鳍结构相邻的具有所述第一掺杂剂类型的横向镇流鳍结构。
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