爱思开海力士有限公司郑载烨获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114822636B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110926231.5,技术领域涉及:G11C11/408;该发明授权半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法是由郑载烨;黄盛炫设计研发完成,并于2021-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法在说明书摘要公布了:本文提供了半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法。半导体存储器设备可以包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列可以包括多个存储器单元。外围电路可以对多个存储器单元之中的、与选择的字线耦合的选择的存储器单元执行编程操作。控制逻辑可以控制外围电路的编程操作。编程操作可以包括多个编程循环。编程循环中的每个编程循环可以包括编程阶段和验证阶段。验证阶段可以包括一个或多个验证操作。控制逻辑还可以被配置为在编程操作期间,对在多个编程循环中的一个编程循环中包括的验证阶段中由外围电路执行的验证操作的数目进行计数。
本发明授权半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体存储器设备,包括: 存储器单元阵列,包括多个存储器单元; 外围电路,被配置为对所述多个存储器单元之中的、与选择的字线耦合的选择的存储器单元执行编程操作,所述编程操作包括多个编程循环,所述多个编程循环中的每个编程循环包括编程阶段和验证阶段,所述验证阶段包括一个或多个验证操作;以及 控制逻辑,被配置为控制所述外围电路的所述编程操作,所述控制逻辑包括验证操作计数器,所述验证操作计数器被配置为:在所述编程操作期间,对在所述多个编程循环中的一个编程循环中包括的所述验证阶段中由所述外围电路执行的多个所述验证操作的数目进行计数,所述验证操作的验证电压彼此不同, 其中所述控制逻辑还被配置为确定所述验证操作的所述数目是否大于所设置的最大验证操作数目, 其中所述控制逻辑还被配置为当所述验证操作的所述数目大于所述所设置的最大验证操作数目时,确定所述编程操作已失败。
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