应用材料公司普里亚达希·潘达获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利平滑化动态随机存取存储器位线金属的方法与设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080080696.7，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权平滑化动态随机存取存储器位线金属的方法与设备是由普里亚达希·潘达;雷建新;桑杰·纳塔拉扬;黄锡硕;佐佐木信之设计研发完成，并于2020-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本平滑化动态随机存取存储器位线金属的方法与设备在说明书摘要公布了：一种平滑化存储器结构的位线金属的顶表面的工艺减少位线堆叠的电阻。此工艺包括在基板上的多晶硅层上沉积大约30埃至50埃的钛层、在钛层上沉积大约15埃至大约40埃的第一氮化钛层、在大约摄氏700度至摄氏850度的温度退火基板、在退火之后的第一氮化钛层上沉积大约15埃至大约40埃的第二氮化钛层、及在第二氮化钛层上沉积钌的位线金属层。
本发明授权平滑化动态随机存取存储器位线金属的方法与设备在权利要求书中公布了：1.一种形成存储器结构的方法，包含： 通过以下步骤来减小位线金属层的顶表面的粗糙度： 在基板上的多晶硅层上沉积30埃至50埃的钛层； 在所述钛层上沉积15埃至40埃的第一氮化钛层； 退火所述基板，其中所述退火被配置为通过减小由所述位线金属层的晶粒生长金属的后续退火造成的硅化影响来减小所述位线金属层的所述顶表面的所述粗糙度； 在退火之后的所述第一氮化钛层上沉积15埃至40埃的第二氮化钛层；及 在所述第二氮化钛层上沉积所述位线金属层，其中所述位线金属层的所述晶粒生长金属是钌。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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