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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种基于GaOx-NMOS/GaN-PMOS的CMOS反相器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725021B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210518928.3，技术领域涉及：H10D84/08；该发明授权一种基于GaOx-NMOS/GaN-PMOS的CMOS反相器的制备方法是由刘新科;黄正;李博;蒋忠伟;马正蓊;陈增发;黄双武;朱德亮;黎晓华;徐平设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于GaOx-NMOS/GaN-PMOS的CMOS反相器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开GaOx‑NMOSGaN‑PMOS的CMOS反相器的制备方法：在Si衬底生长掺碳GaN缓冲层，用光刻胶阻挡掺碳GaN缓冲层一侧区域，在另一侧外延生长掺Si‑GaN形成p‑MOS沟道层，去除另一侧光刻胶，阻挡p‑MOS沟道层表面，在n‑MOS沟道层的部分区域进行刻蚀到掺碳GaN缓冲层，利用SiO2作为生长掩膜在刻蚀后暴露的掺碳GaN缓冲层上生长GaN形成p‑MOS沟道层，并在去除光刻胶的表面外延生长GaOx形成n‑MOS沟道层；在n‑MOS沟道层和p‑MOS沟道层临界位置进行垂直光刻，并在形成的隔离区域生长金刚石形成阻挡层；用光刻胶阻挡，在n‑MOS沟道层和p‑MOS沟道层表面分别注入Si和Mg形成n区和p区；在器件表面沉积金属膜和介质层，剥离，退火，在阻挡层区域n‑MOS沟道层和p‑MOS沟道层的两端区域得到漏极和源极，在n‑MOS沟道层和p‑MOS沟道层形成栅极。

本发明授权一种基于GaOx-NMOS/GaN-PMOS的CMOS反相器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于GaOx-NMOSGaN-PMOS的CMOS反相器的制备方法，其特征在于，包括： 在单晶Si衬底上生长掺碳GaN缓冲层，利用光刻胶阻挡掺碳GaN缓冲层一侧的区域，并在掺碳GaN缓冲层表面外延生长掺Si-GaN形成p-MOS沟道层，在p-MOS沟道层表面的部分区域进行刻蚀直到掺碳GaN缓冲层，利用SiO2作为生长掩膜在刻蚀后暴露的掺碳GaN缓冲层上外延生长掺Mg-GaOx形成n-MOS沟道层； 在n-MOS沟道层和p-MOS沟道层临界位置进行垂直光刻，并在形成的隔离区域生长金刚石，形成阻挡层； 利用光刻胶阻挡，在n-MOS沟道层表面两端离子注入Si形成n区，在p-MOS沟道层表面两端离子注入Mg形成p区； 在器件表面沉积金属膜和介质层，剥离，退火，在阻挡层区域得到一组相邻的漏极和源极，在n-MOS沟道层和p-MOS沟道层的两端区域得到另一组漏极和源极，在n-MOS沟道层和p-MOS沟道层表面沉积金属膜和介质层，剥离，退火形成栅极，其中，栅极在漏极和源极的中间。

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