爱思开海力士有限公司林侊敃获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器设备及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724603B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110897698.1，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权半导体存储器设备及其操作方法是由林侊敃;李熙烈设计研发完成，并于2021-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器设备及其操作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体存储器设备及其操作方法。一种半导体存储器设备包括存储器块、外围电路和控制逻辑。存储器块包括连接到虚设字线的虚设存储器单元和连接到正常字线的正常存储器单元。外围电路对存储器块执行擦除操作。控制逻辑控制外围电路的操作。控制逻辑控制外围电路：响应于针对存储器块的擦除命令，对连接到虚设字线之中的第一虚设字线的第一虚设存储器单元执行预编程操作；并且在对第一虚设存储器单元的预编程操作之后，对连接到虚设字线之中的第二虚设字线的第二虚设存储器单元执行预编程操作。控制逻辑控制外围电路对正常存储器单元执行擦除操作。
本发明授权半导体存储器设备及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器设备，包括： 存储器块，包括连接到虚设字线的虚设存储器单元和连接到正常字线的正常存储器单元； 外围电路，被配置成对所述存储器块执行擦除操作；以及 控制逻辑，被配置成控制所述外围电路的操作，其中所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路： 响应于针对所述存储器块的擦除命令，对连接到所述虚设字线之中的多个第一虚设字线的第一虚设存储器单元执行预编程操作，其中所述第一虚设存储器单元同时被预编程； 在对所述第一虚设存储器单元的所述预编程操作之后，对连接到所述虚设字线之中的第二虚设字线的第二虚设存储器单元执行预编程操作；以及 对所述正常存储器单元执行擦除操作。
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