比亚迪半导体股份有限公司王艳春获国家专利权
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龙图腾网获悉比亚迪半导体股份有限公司申请的专利MOS型肖特基二极管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695567B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011567716.1，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权MOS型肖特基二极管结构是由王艳春设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOS型肖特基二极管结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MOS型肖特基二极管结构，MOS型肖特基二极管结构包括设置于阴极背面金属层上的N型衬底层；位于N型衬底层上的N型外延层；内嵌在N型外延层上表面的多个MOS区域；多个MOS区域沿第一方向分布；覆盖在N型外延层和多个MOS区域上的金属阳极接触层；MOS区域的顶部在第一方向的第一宽度小于MOS区域的底部在第一方向的第二宽度，MOS区域的顶部靠近金属阳极接触层。能够在增加肖特基区域宽度的同时，增大了MOS区域的底部宽度，实现降低高温漏电流和导通压降，提高了MOS型肖特基二极管的耐压和开关速度，且在对MOS型肖特基二极管施加反向电压时，各MOS区域产生的耗尽层仍然能够连接。
本发明授权MOS型肖特基二极管结构在权利要求书中公布了：1.一种MOS型肖特基二极管结构，其特征在于，包括： 设置于阴极背面金属层上的N型衬底层； 位于所述N型衬底层上的N型外延层； 内嵌在所述N型外延层上表面的多个MOS区域；所述多个MOS区域沿第一方向分布；所述第一方向为垂直于所述N型外延层厚度的方向； 覆盖在所述N型外延层和所述多个MOS区域上的金属阳极接触层；所述MOS区域的顶部在所述第一方向的第一宽度小于所述MOS区域的底部在所述第一方向的第二宽度，所述MOS区域的顶部靠近所述金属阳极接触层； 所述MOS区域在所述第一方向的宽度沿第二方向逐渐增大；所述第二方向为所述金属阳极接触层指向所述阴极背面金属层的方向。
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