南通尚阳通集成电路有限公司刘坚获国家专利权
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龙图腾网获悉南通尚阳通集成电路有限公司申请的专利半导体器件的前端金属结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011577547.X，技术领域涉及：H10W20/44；该发明授权半导体器件的前端金属结构及其制造方法是由刘坚设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的前端金属结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的前端金属结构，半导体器件包括最顶层正面金属层，最顶层正面金属层图形化后形成正面金属电极；前端金属结构由形成于最顶层正面金属层表面的前端金属层图形化形成，前端金属层由可焊接金属材料组成以在前端金属结构的表面形成用于封装的键合区域；前端金属结构位于正面金属电极的部分区域表面，前端金属层的图形化位于最顶层正面金属层的图形化之前；半导体器件还包括前端钝化层，前端钝化层将键合区域打开。本发明还公开了一种半导体器件的前端金属结构的制造方法。本发明能提供具有可焊接性的前端金属结构且能减少前端金属结构形成工艺所带来的缺陷，从而能形成用于封装的键合区域，使铜片PDFN的封装成为可能。
本发明授权半导体器件的前端金属结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的前端金属结构，其特征在于：半导体器件包括最顶层正面金属层，所述最顶层正面金属层图形化后形成所述半导体器件的正面金属电极； 前端金属结构由形成于所述最顶层正面金属层表面的前端金属层图形化形成，所述前端金属层由可焊接金属材料组成以在所述前端金属结构的表面形成用于封装的键合区域； 所述前端金属结构位于所述正面金属电极的部分区域表面，所述前端金属层的图形化位于所述最顶层正面金属层的图形化之前，以减少所述前端金属层的图形化所产生的缺陷； 所述半导体器件还包括前端钝化层，所述前端钝化层将所述键合区域打开以将所述键合区域的所述前端金属结构的表面露出，所述前端钝化层将所述键合区域外覆盖； 所述半导体器件包括功率器件，所述半导体器件具有垂直沟道，所述正面金属电极包括源极或栅极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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