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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利具有自对准栅极区和本体区的分裂栅沟道MOS晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695260B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111637836.9，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权具有自对准栅极区和本体区的分裂栅沟道MOS晶体管是由D·G·帕蒂设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有自对准栅极区和本体区的分裂栅沟道MOS晶体管在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及具有自对准栅极区和本体区的分裂栅沟道MOS晶体管。提出了一种用于制造集成器件的方法，该集成器件具有至少一个集成在半导体材料的裸片上的MOS晶体管。该方法包括形成具有对应场板和栅极区的一个或多个栅极沟槽。本体区通过沿着相对于所述裸片的前表面倾斜的一个或多个注入方向选择性地注入掺杂剂而形成。此外，提出了对应的集成器件和包括该集成器件的系统。

本发明授权具有自对准栅极区和本体区的分裂栅沟道MOS晶体管在权利要求书中公布了：1.一种用于制造集成器件的工艺，所述集成器件包括至少一个MOS晶体管，所述至少一个MOS晶体管被集成在具有主表面的第一类型导电性的半导体材料的裸片上，所述工艺包括： 形成从所述主表面延伸到所述裸片中的一个或多个栅极沟槽； 用电绝缘材料涂覆所述栅极沟槽，以获得涂覆有对应分离绝缘层的所述栅极沟槽的对应涂覆内部部分和涂覆有对应栅极绝缘层的所述栅极沟槽的对应涂覆外部部分； 用形成对应场板的导电材料填充所述栅极沟槽的经涂覆内部部分； 用电绝缘材料的对应分裂绝缘层覆盖所述场板； 沿着相对于所述主表面倾斜的一个或多个注入方向将第二类型导电性的掺杂剂从所述主表面注入到所述裸片中，所述掺杂剂通过在所述栅极沟槽的所述外部部分的前表面和侧表面处的注入区中通过并且在所述分裂绝缘层处的阻挡区中被阻挡而被选择性地注入； 扩散被注入的掺杂剂以形成本体区；以及 用导电材料填充所述栅极沟槽的经涂覆外部部分来形成对应栅极区，从而所述对应栅极区从所述主表面与所述本体区在深度上基本上自对准； 其中注入所述第二类型导电性的掺杂剂包括： 通过在通过区的电绝缘材料的通过绝缘层通过并且在所述阻挡区被电绝缘材料的阻挡绝缘层阻挡来选择性地注入掺杂剂，所述通过绝缘层和所述阻挡绝缘层的厚度分别低于和高于注入阈值； 其中所述工艺还包括： 在所述栅极绝缘层上方的所述注入区和所述分裂绝缘层上方的所述阻挡区上形成电绝缘材料的辅助绝缘层，以分别获得所述通过绝缘层和所述阻挡绝缘层；以及 在所述掺杂剂的所述注入之后，去除所述辅助绝缘层。

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