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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695166B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011643761.0，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备是由金根浩;李俊杰;李琳;王佳;周娜设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备，涉及等离子刻蚀技术领域，以保证检测装置和晶圆刻蚀设备的反应腔连接，防止由于不完全连接导致晶圆损伤的情况发生。所述检测装置应用于晶圆刻蚀设备，所述晶圆刻蚀设备的侧壁上开设有检测窗口，所述检测窗口内设置有透光检测窗。所述检测装置包括：光接收传送组件、位置检测组件、以及控制组件。所述检测方法包括上述技术方案所提的检测装置。本发明提供的检测装置用于提高晶圆的良率。

本发明授权一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备在权利要求书中公布了：1.一种检测装置，其特征在于，应用于晶圆刻蚀设备，所述晶圆刻蚀设备的侧壁上开设有检测窗口，所述检测窗口内设置有透光检测窗；所述检测装置包括：光接收传送组件、位置检测组件以及控制组件； 所述光接收传送组件的第一端伸入所述检测窗口中，用于接收所述晶圆刻蚀设备内等离子体产生的光信号，并对所述光信号进行处理后，发送给控制组件； 所述位置检测组件设置在所述检测窗口内，用于固定所述光接收传送组件，还用于检测所述光接收传送组件的第一端与所述透光检测窗的相对位置关系，并将检测信号发送给控制组件； 所述控制组件用于根据所述检测信号和所述处理后的光信号确定所述晶圆刻蚀设备的刻蚀状态； 所述位置检测组件包括位置传感器，所述位置传感器位于所述检测窗口内，且靠近所述透光检测窗设置，用于检测所述光接收传送组件的第一端与所述透光检测窗的相对位置关系； 所述位置检测组件还包括支撑部，所述支撑部固定设置在所述检测窗口的内壁且与所述位置传感器连接，用于对伸入所述检测窗口内的所述光接收传送组件的第一端进行固定； 所述控制组件通过所述检测信号判断所述光接收传送组件的第一端与所述透光检测窗的相对位置关系，在所述光接收传送组件的第一端与所述透光检测窗未充分连接时，控制所述晶圆刻蚀设备产生内部联锁，停止工作。

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