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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利高散热性封装电子器件及其制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664776B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111576916.8，技术领域涉及：H10W70/40；该发明授权高散热性封装电子器件及其制造工艺是由C·G·斯特拉;R·里扎设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本高散热性封装电子器件及其制造工艺在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及高散热性封装电子器件及其制造工艺。封装的功率电子器件具有承载结构，该承载结构包括基底部分和横向于基底部分延伸的横向部分。管芯被结合到承载结构的基底部分并且具有第一主面上的第一端子和第二主面上的第二端子和第三端子。绝缘材料的封装件内嵌有半导体管芯、第二端子、第三端子并且至少部分地内嵌有运载基底。第一外连接区域、第二外连接区域和第三外连接区域分别被电气耦合到管芯的第一端子、第二端子和第三端子，该管芯被封装件侧面地围绕并且面对封装件的第二主表面。承载结构的横向部分从基底部分朝向封装件的第二主表面延伸，并且相对于管芯具有更高的高度。

本发明授权高散热性封装电子器件及其制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种器件，包括： 支撑结构，包括基底部分和横向于所述基底部分延伸的横向部分，所述基底部分具有第一面和与所述第一面相对的第二面； 管芯，被耦合到所述支撑结构的所述基底部分的所述第一面，所述管芯具有第一主面和第二主面以及从所述第一主面延伸到所述第二主面的高度； 传导层，在所述基底部分的所述第二面上； 第一端子、第二端子和第三端子，所述第一端子在所述管芯的所述第一主面上，并且所述第二端子和所述第三端子在所述管芯的所述第二主面上； 一个或多个绝缘材料层，包围并且内嵌有所述管芯、所述第二端子、所述第三端子和所述基底部分； 第一主表面，一个或多个绝缘材料层中的至少一层绝缘材料存在于所述第一主表面处； 第二主表面，与所述第一主表面相对，所述一个或多个绝缘材料层中的至少一个绝缘材料层存在于所述第二主表面处； 第一外连接区域、第二外连接区域和第三外连接区域，分别被电气耦合到所述第一端子、所述第二端子和所述第三端子，所述第一外连接区域、所述第二外连接区域和所述第三外连接区域由所述一个或多个绝缘材料层侧面围绕，并且所述第一外连接区域、所述第二外连接区域和所述第三外连接区域面对所述第二主表面， 其中所述支撑结构的所述横向部分从所述基底部分朝向所述第二主表面延伸，所述横向部分具有的第一高度大于所述管芯的第二高度并且与所述第一外连接区域接触。

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