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龙图腾网获悉圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利一种双向补电的驱动控制板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011511797.3，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权一种双向补电的驱动控制板是由刘晓琳;易新敏;徐海峰;李雅淑;马玲莉;贾丽伟设计研发完成，并于2020-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双向补电的驱动控制板在说明书摘要公布了：一种双向补电的驱动控制板，包括第一补电单元和第二补电单元，其特征在于：所述第一补电单元与所述第二补电单元对称设置；并且，所述第一补电单元中包括自举电压输入单元、补电电流生成单元和补电二极管D1；其中，所述自举电压输入单元，采集来自自举电容的电压并发送至所述补电电流生成单元；所述补电电流生成单元，接收所述来自自举电容的电压并生成补电电流；所述补电二极管D1，基于所述补电电流为所述第二补电单元补电。基于本发明中的方案，能够提供一种双向补电的驱动控制板，通过第一补电单元与第二补电单元的相互补电以为自举电容充电。

本发明授权一种双向补电的驱动控制板在权利要求书中公布了：1.一种双向补电的驱动控制板，包括第一补电单元和第二补电单元，其特征在于： 所述第一补电单元与所述第二补电单元对称设置；并且， 所述第一补电单元中包括自举电压输入单元、补电电流生成单元和补电二极管D1；其中， 所述自举电压输入单元，采集自举电容的压降并发送至所述补电电流生成单元； 所述补电电流生成单元，接收所述自举电容的压降，并将压降与参考电压进行比较分成自举电容的压降高于参考电压和自举电容的压降低于参考电压的两种情况，根据上述情况的判定生成补电二极管的电流，该电流为补电电流；所述补电二极管D1，基于所述补电电流为所述第二补电单元补电； 所述补电电流生成单元中包括放大器EA1、NMOS管MR1、镜像单元；其中， 所述放大器EA1，负相输入端与所述自举电压输入单元连接，正相输入端接收参考电压，输出端与所述NMOS管MR1的栅极连接； 所述NMOS管MR1的源极接地，漏极与所述镜像单元连接； 所述镜像单元，与所述NMOS管MR1的漏极、所述二极管的正极分别连接； 所述镜像单元包括镜像连接的第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2；其中， 所述第一PMOS管MP1的漏极和栅极与所述NMOS管MR1的漏极、第二PMOS管的栅极连接； 所述第二PMOS管MP2的漏极与所述二极管D1的正极连接； 所述第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2的源极连接； 所述补电二极管D1的负极与所述第二补电单元中镜像单元中第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4的源极连接； 所述第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2的源极电压为第一自举电压BST1，所述第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4的源极电压为第二自举电压BST2。

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