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龙图腾网获悉华北电力大学申请的专利一种基于硫氰基的二维Cs2PbI2(SCN)2钙钛矿太阳电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497388B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210107927.X，技术领域涉及：H10K85/50；该发明授权一种基于硫氰基的二维Cs2PbI2(SCN)2钙钛矿太阳电池及其制备方法是由姚建曦;许佳;吴巧慧;崔美娜设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于硫氰基的二维Cs2PbI2(SCN)2钙钛矿太阳电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了属于太阳电池技术领域的一种基于硫氰基的二维Cs2PbI2SCN2钙钛矿太阳电池及其制备方法。所述钙钛矿太阳电池由依次布设的FTO基底、TiO2致密层、钙钛矿光吸收层、缓冲层、空穴传输层、金电极层所组成；所述钙钛矿光吸收层为甲脒盐酸盐掺杂的Cs2PbI2SCN2，缓冲层为三甲基溴化铵类物质。甲脒盐酸盐中的氯离子作为晶粒尺寸调节模板进入钙钛矿晶格中，氯离子及其中间产物的生成调节了结晶过程，充分发挥了晶粒均匀化作用，有效提高了载流子传输性能，大幅度提高载流子寿命。与此同时，采用三甲基溴化铵类物质作为缓冲层克服了空穴传输层难以在钙钛矿传输层均匀化沉积的缺陷，最终发挥光电性能的优势。

本发明授权一种基于硫氰基的二维Cs2PbI2(SCN)2钙钛矿太阳电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于硫氰基的二维Cs2PbI2SCN2钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池由依次布设的FTO基底、TiO2致密层、钙钛矿光吸收层、缓冲层、空穴传输层、金电极层所组成；所述钙钛矿光吸收层的材料为甲脒盐酸盐掺杂的Cs2PbI2SCN2，所述缓冲层的材料为三甲基溴化铵类物质，所述空穴传输层为spiro-OMeTAD； 所述三甲基溴化铵类物质前端基团为苯基、十六烷基、十二烷基或辛基；具体的，包括苯基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基三甲基溴化铵或辛基三甲基溴化铵； 所述钙钛矿光吸收层的制备方法为，称取甲脒盐酸盐、碘化铯、硫氰酸铅，溶于有机溶剂中，加热充分搅拌过滤，得到钙钛矿前驱体溶液；钙钛矿前驱体溶液的浓度为0.5～0.7molmL，其中碘化铯与硫氰酸铅的浓度之比为2:1，甲脒盐酸盐的浓度为0.02～0.04molmL；有机溶剂为二甲基亚砜，加热温度为60～80℃，搅拌时间为6～10h；将钙钛矿前驱体溶液旋涂在TiO2致密层之上，低温加热后冷却获得钙钛矿光吸收层。

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