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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种研磨装置、调节研磨压力的方法及装片卸片机构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496832B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011173868.3，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种研磨装置、调节研磨压力的方法及装片卸片机构是由鲁容硕;张月;杨涛;卢一泓;刘青设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种研磨装置、调节研磨压力的方法及装片卸片机构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种研磨装置、调节研磨压力的方法及装片卸片机构，涉及半导体技术领域，用于消除晶圆背面的硬性粒子对光刻工艺的影响，从而提高半导体器件的品质。所述研磨装置包括：旋转件、以及设置在旋转件一侧的研磨件；其中，旋转件用于固定晶圆与研磨件的相对位置，以及用于带动晶圆旋转；研磨件具有对晶圆的背面进行研磨的研磨区域，旋转件的旋转轴至研磨区域的边缘的最短垂直距离小于晶圆的半径。所述研磨装置应用于抛光设备中。

本发明授权一种研磨装置、调节研磨压力的方法及装片卸片机构在权利要求书中公布了：1.一种研磨装置，其特征在于，所述研磨装置包括：旋转件、以及设置在所述旋转件一侧的研磨件；其中， 所述旋转件用于固定晶圆与所述研磨件的相对位置，以及用于带动所述晶圆旋转；所述晶圆处于旋转状态时的旋转轴与所述晶圆的中轴线重合； 所述研磨件具有对所述晶圆的背面进行研磨的研磨区域，所述旋转件的旋转轴至所述研磨区域的边缘的最短垂直距离小于所述晶圆的半径；所述研磨件包括支撑部、设置在所述支撑部一端的固定部、以及设置在所述支撑部另一端的研磨部，所述固定部和所述研磨部之间的区域为所述研磨区域；所述研磨装置还包括压力调节件，所述压力调节件设置在所述研磨部远离所述固定部的一侧，所述压力调节件用于调节所述研磨部对所述晶圆的背面进行研磨时的研磨压力； 所述压力调节件包括控制器、以及沿着靠近所述研磨部的方向依次设置的调整件、弹性件和压力传感器；所述调整件的驱动端与所述弹性件的一端固定连接；所述压力传感器的一端与所述弹性件的另一端固定连接，所述压力传感器的另一端与所述研磨部抵接；其中， 所述调整件用于在所述控制器的控制下沿靠近或远离所述研磨部的方向调整所述弹性件的形变量； 所述压力传感器用于测量所述弹性件向所述研磨部提供的推力，并向所述控制器发送测量结果； 所述控制器的输入端与所述压力传感器连接，所述控制器的输出端与所述调整件连接，所述控制器用于根据所述测量结果控制所述调整件工作。

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