南京大学张钊荣获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利利用柔性纳米柱贴膜制备高分辨纳米像元显示阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420686B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210092568.5，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权利用柔性纳米柱贴膜制备高分辨纳米像元显示阵列的方法是由张钊荣;徐宇航;申宜林;张洋;郑凯文;陶涛;许非凡;余俊驰;刘斌设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用柔性纳米柱贴膜制备高分辨纳米像元显示阵列的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用柔性纳米柱贴膜制备高分辨纳米像元显示阵列的方法，在衬底上外延并刻蚀GaN基LED纳米柱，将纳米柱转移到柔性临时衬底并去除原有衬底至N型GaN层，得到柔性纳米柱贴膜，将柔性纳米柱贴膜的N型GaN层表面与驱动电路基板通过In电极进行倒装键合，再去除柔性临时衬底，得到高分辨纳米像元显示阵列。本发明利用了柔性纳米柱贴膜方法实现巨量的纳米像元转移，通过高密度纳米阵列规避了巨量转移中的对准对位问题，在无需光刻对准的情况下，实现以单个In电极分别控制若干个GaN纳米柱发光，达成亚微米级分辨率的目标。
本发明授权利用柔性纳米柱贴膜制备高分辨纳米像元显示阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用柔性纳米柱贴膜制备高分辨纳米像元显示阵列的方法，其特征在于具体步骤为： 1清洗Si衬底； 2在衬底上进行GaN基LED结构的生长； 3在GaN基LED结构上刻蚀出深至N型GaN层的纳米柱阵列； 4在纳米柱间填充介质膜，实现纳米柱的电学隔离； 5刻蚀纳米柱顶部的介质膜，使纳米柱的P型GaN层露出； 6在纳米柱顶端蒸镀金属电极或ITO透明电极，使得纳米柱共P电极并联； 7在金属电极上旋涂柔性薄膜，形成柔性临时衬底； 8去除原Si衬底； 9去除纳米柱的底部至N型GaN层，使纳米柱底部互相分离，且纳米柱仍保留部分N型GaN层，得到柔性纳米柱贴膜； 10将柔性纳米柱贴膜的N层GaN面与带有In电极的驱动电路基板进行倒装键合，令每个In电极可以与数个纳米柱相接触，得到高分辨纳米像元显示阵列。
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