京东方科技集团股份有限公司黄杰获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种金属氧化物薄膜晶体管背板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005841B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111277482.1，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权一种金属氧化物薄膜晶体管背板是由黄杰;宁策;李正亮;胡合合;贺家煜;姚念琦;赵坤;李菲菲;王东方;雷利平设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金属氧化物薄膜晶体管背板在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种金属氧化物薄膜晶体管背板。所述金属氧化物TFT背板包括：第一金属氧化物TFT和第二金属氧化物TFT；所述第一金属氧化物TFT，包括具有第一迁移率的第一有源层，所述第一有源层包含第一金属氧化物薄膜；所述第二金属氧化物TFT，包括具有第二迁移率的第二有源层，所述第二有源层包含第二金属氧化物薄膜，所述第二迁移率小于所述第一迁移率。可以通过选用不同的有源层材料以及有源层结构在背板上设置具有不同迁移率的TFT，使得用户可以根据实际需求选用不同的TFT进行GOA区域和AA区域的电路设计，从而使得使得TFT背板同时兼具高性能和高稳定性。
本发明授权一种金属氧化物薄膜晶体管背板在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物薄膜晶体管TFT背板，其特征在于，所述金属氧化物TFT背板包括： 第一金属氧化物TFT和第二金属氧化物TFT；所述第一金属氧化物TFT和第二金属氧化物TFT为栅极驱动电路中的TFT，所述第一金属氧化物TFT包括M1、M3、M13；所述第二金属氧化物TFT包括M6A、M6B、M16A、M16B；M1被配置为接收输入信号，M3、M13被配置为输出信号；M6A、M6B的栅极连接上拉点位PU，M6A、M16A的漏极连接电源信号VDDA；M6B、M16B的漏极连接电源信号VDDB； 所述第一金属氧化物TFT，包括具有第一迁移率的第一有源层，所述第一有源层包含第一金属氧化物薄膜； 所述第二金属氧化物TFT，包括具有第二迁移率的第二有源层，所述第二有源层包含第二金属氧化物薄膜，所述第二迁移率小于所述第一迁移率。
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