台湾积体电路制造股份有限公司李欣怡获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于金属栅极填料的化学镀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921471B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110485921.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权用于金属栅极填料的化学镀方法是由李欣怡;徐志安设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于金属栅极填料的化学镀方法在说明书摘要公布了：本申请涉及用于金属栅极填料的化学镀方法。在用于纳米片FinFET器件的栅极替换工艺中，实施例采用电化学工艺来将金属栅极电极沉积在栅极开口中。可以使用促进剂和抑制剂来针对金属栅极电极的填充材料实现自下而上的沉积。
本发明授权用于金属栅极填料的化学镀方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，包括： 蚀刻晶体管的虚设栅极以去除所述虚设栅极并形成第一开口； 进行蚀刻以去除第一纳米结构并使所述第一开口延伸，从而暴露所述晶体管的第二纳米结构； 在所述第一开口中沉积第一电介质层，所述第一电介质层围绕所述第二纳米结构； 在所述第一开口中沉积第一功函数层，所述第一功函数层围绕所述第二纳米结构和所述第一电介质层； 在所述第一开口中沉积粘合层，所述粘合层围绕所述第二纳米结构；以及 将所述第一开口浸入电化学镀液中以将金属镀覆到所述第一开口中，所述金属填充所述第一开口，其中，所述电化学镀液包括促进剂，并且其中，在镀覆所述金属期间，所述促进剂在所述第一开口的底部比在所述第一开口的侧壁更密集地分布。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励